积体电路铜线扩散障壁

摘要

本发明描述一种形成改良之积体电路铜线扩散障壁之方法。于一半导体(5)上形成一低–k介电层(10)。于该低–k介电层(10)中形成一沟槽(15)并于该沟槽中形成一钛氮化矽(TiNSi)层(20)。于该钛氮化矽层(20)上形成一α–钽(α–Ta)层(30)，并随后于该沟槽(15)中形成铜(40)以填充该沟槽(15)。