发明名称 绝缘膜成膜用原料及使用它之成膜方法
摘要 本发明提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成高品质、高纯度的含锂绝缘膜或者含矽酸锂绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法。本发明的绝缘膜成膜用原料系由锂的烷氧基化合物和、选自醚、酮、酯、醇或烃之1种以上的有机溶剂组成,或者由锂的烷氧基化合物或锂的羧酸盐、四甲氧基矽烷或者四乙氧基矽烷及有机溶剂组成,本发明的成膜方法是使用这些原料进行成膜。
申请公布号 TW200519976 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093132879 申请日期 2004.10.29
申请人 派欧尼股份有限公司 发明人 高松勇吉;米山岳夫;十七里和昭;副岛宜胜;桐山晃二;石井隆史
分类号 H01B3/00 主分类号 H01B3/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本