| 摘要 |
一种记忆体格结构，根据一具体实施侧，系包含一半导体基板(210)、一位在该半导体基板上方之第一氧化矽层(215)、一位在该第一氧化矽层上方之电荷储存层(220)、一位在该电荷储存层上方之第二氧化矽层(225)、以及一位在该第二氧化矽层上方之闸极层(230)。在此例示性具体实施例中，该电荷储存层(220)系包含具有减少含氢量(例如，约在0至0.5原子百分比之间)之氮化矽。结果，该减少之含氢量减少该电荷储存层(220)内之电荷损失。减少电荷储存层(220)内之电荷损失的好处是减少记忆体元件内之临界电压的漂移、程式资料的漏失、以及程式能力的损耗，从而改善记忆体元件的效能。 |
