三维多晶矽唯读记忆体及其制造方法

摘要

一种三维多晶矽唯读记忆体及其制造方法，此三维多晶矽唯读记忆体包括：矽基板、绝缘氧化层、N型重掺杂多晶矽层、P型轻掺杂多晶矽层、介电层以及二氧化层。绝缘氧化层位于矽基板上，而N型重掺杂多晶矽层位于绝缘氧化层上，包括数条相互隔开且平行之字元线；字元线之间有一层氧化层，而介电层则位于字元线与氧化层上。P型轻掺杂多晶矽层位于介电层上，且包括数条相互隔开且平行之位元线，位元线并与字元线实质上垂直交错。介电层中至少有一颈状结构(neck)形成于位元线之下方，另一氧化层则位于位元线之间，且位于字元线与第一氧化层上。