藉矽之氧化减少缺陷

摘要

本发明描述一种制造高品质、大体上松弛之SiGe／绝缘体基板材料之方法，该材料可用作应变矽之模板。将一具有非常薄顶矽层之矽／绝缘体基板用作压缩应变矽锗生长之模板。一旦在足够温度下矽锗层松弛，位错运动之性质是使得当内埋氧化物表现为半黏性时应变消除缺陷向下移动至薄矽层内。薄矽层藉由内埋氧化物／薄矽界面之氧化而消耗掉。此可藉由在高温下使用内氧化而完成。以此方式原始薄矽层之作用系在矽锗合金之松弛期间用作牺牲(sacrificial)缺陷槽，其稍后可使用内氧化而消耗掉。