发明名称 氧化层的制作方法
摘要 本发明提供一种氧化层的制作方法。将一流体,例如水,加温且加压至超临界或近超临界态,并与至少一氧化剂混合。将超临界或近超临界态水与至少一氧化剂混合物覆以一工件,以形成一氧化层于工件上。其中至少一氧化剂的成分包括氮,以及形成之氧化层包括一氮掺杂之氧化层。
申请公布号 TW200520094 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093121714 申请日期 2004.07.21
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄平;林俞良;周梅生
分类号 H01L21/316 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号