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发明名称
氧化层的制作方法
摘要
本发明提供一种氧化层的制作方法。将一流体,例如水,加温且加压至超临界或近超临界态,并与至少一氧化剂混合。将超临界或近超临界态水与至少一氧化剂混合物覆以一工件,以形成一氧化层于工件上。其中至少一氧化剂的成分包括氮,以及形成之氧化层包括一氮掺杂之氧化层。
申请公布号
TW200520094
申请公布日期
2005.06.16
申请号
TW093121714
申请日期
2004.07.21
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
庄平;林俞良;周梅生
分类号
H01L21/316
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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