| 摘要 |
〔课题〕本发明提供一种半导体装置之制造方法，使用多孔质绝缘层以制造电性或可靠度良好的半导体装置。〔解决手段〕在半导体基底1上涂布含有绝缘层前驱体以及孔洞形成材料的绝缘层组合物，之后，对绝缘层组合物进行第1加热处理，在不气化孔洞形成材料的状态下，聚合绝缘层前驱体以形成非多孔性绝缘层。其次，在非多孔性绝缘层上形成光阻图案，以光阻图案当作罩幕，并进行非多孔性绝缘层的乾蚀刻，以在非多孔性绝缘层形成沟槽。藉由灰化步骤去除不需要的光阻图案，之后，洗净半导体基底的表面。然后，进行第2加热处理，藉由从非多孔性绝缘层去除孔洞形成材料以形成多孔性绝缘层7，然后，隔着阻障金属层8，将铜层9填入于沟槽以形成铜导线。 |
