以不含氧化剂之抛光流体在铜CMP中进行第二步骤抛光之方法METHOD OF SECOND STEP POLISHING IN COPPER CMP WITH A POLISHING FLUID CONTAINING NO OXIDIZING AGENT

摘要

一种用于在铜CMP中进行第二步骤障壁移除抛光之抛光流体，其显示障壁对金属及障壁对绝缘层之高选择性，该流体不包含氧化剂，而包含有机酸、磨料和选用的铜腐蚀抑制剂。