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发明名称
电容介电层结构及其制造方法
摘要
一种电容介电层之结构及制造方法。此电容介电层结构具有一预定电容结构之基板、一氮化物层形成于预定电容结构的表面上,及一氮氧化物层形成于氮化物层之上,以形成一矽/氮化物/氮氧化物的堆叠结构。其中,氮氧化物层是在湿式氧化制程中加入氧化亚氮进行反应而得,随后并使用氧化亚氮进行高温退火处理。此结构不但具有较高的介电常数,更由于使用不含氢之气体反应,因此可有效降低漏电流。
申请公布号
TW200520206
申请公布日期
2005.06.16
申请号
TW092135090
申请日期
2003.12.11
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
巫勇贤;庄慧伶
分类号
H01L27/108
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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