复合透明电极

摘要

本发明系提供一种复合透明电极，系沿用无ITO透明电极时的元件磊晶结构，其中，在原发射窗之半导体顶层之磷化镓表面覆盖有极薄的AuZn及AuBe金属层(＜300A)，以顺利形成欧姆接点，再将该AuZn及AuBe金属层表面均匀覆盖ITO(氧化铟锡)形成欧姆接触，顺利导通电流，而二极体之负电极同样以蒸镀方式镀在砷化镓基板背面，该ITO层则完全取代原正电极之功能，藉此，形成一使用ITO的四元发光二极体之复合透明电极结构，充分满足透明电极所需之介面(interface)特性及本体(bulk)特性。