非挥发性半导体记忆装置

摘要

一种非挥发性半导体记忆装置，在抹除记忆器块之资料时，并用动作(S3)，对记忆器块一起施加抹除脉波；和动作(S6)，对记忆器块之一部份之限定区域，一起施加抹除脉波。因此，当与先前技术比较时，可以减少对通过验证之记忆单元过度施加之抹除脉波数，结果可以减少成为过度抹除恢复写入(S9)之对象之记忆单元数，可以缩短总计之块抹除时间。