发明名称 | 浮置闸极的形成方法 | ||
摘要 | 一种浮置闸极的形成方法,此方法系先提供基底,且基底上系已形成有图案化之衬层与罩幕层,以及于基底中系已形成有沟渠。之后,于沟渠表面形成穿隧氧化层。然后,于沟渠中填入导体层。接着,进行一蚀刻步骤,以于沟渠侧壁形成顶部边角系为尖锐角之第一浮置闸极及第二浮置闸极。 | ||
申请公布号 | TW200520161 | 申请公布日期 | 2005.06.16 |
申请号 | TW092134147 | 申请日期 | 2003.12.04 |
申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 杨立民;王炳尧 |
分类号 | H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/8239 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行一路12号 |