静电破坏保护装置

摘要

本发明之目的在提供一种可以充分保护被保护装置免受静电破坏，并且防止保护电晶体本身的破坏之静电破坏保护装置。本发明系于输出端子100与接地电位Vss之间串联连接作为保护电晶体之N通道型第一MOS电晶体TrA及第二MOS电晶体TrB。另一方面，在高电源电位HVdd与输出端子100之间串联连接作为保护电晶体之P通道型第三MOS电晶体TrC及第四MOS电晶体TrD。该等第一、第二、第三及第四MOS电晶体TrA、TrB、TrC、TrD，系由低耐压的MOS电晶体构成。