发明名称 以苯二亚胺衍生物掺杂有机半导体的方法
摘要 本发明系使用一种有机型键异构化合物作为掺杂有机半导电基体材料的有机掺杂物,以改变被掺杂的半导电基体材料的电学特性。为了使含有掺杂物的有机半导电材料在在制程中易于被操作/处理,并且使以含有掺杂物的有机半导电材料制造出来的电子元件具有可复制性,本发明建议以苯、苯衍生物、1,3,2–二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2–二氧苯硼(Dioxaborin)卫生物作为此种有机型键异构化合物,在相同的蒸发条件下,本发明建议使用的这种有机型键异构化合物的挥发性小于四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro–tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的挥发性。093102560-p01.bmp
申请公布号 TW200520020 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093102560 申请日期 2004.02.04
申请人 诺瓦发光二极体有限公司 发明人 奥拉夫屈尔;霍斯特哈特曼;奥拉夫柴卡;马丁普法伊弗尔;友善陈
分类号 H01L21/00;H05B33/00;H05B33/20 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国