堆叠闸快闪记忆体元件之浮动闸的制造方法

摘要

一种形成快闪记忆体元件之浮动闸的新方法。其方法包含形成第一导电层覆盖于基材上，且基材与第一导电层之间夹有一层闸极介电层。一层罩幕沉积于第一导电层上，并图案化此罩幕来暴露出第一导电层之第一区域并遮盖第二区域。在第一导电层之第一区域上制造出数个第一凹陷面。移除罩幕后，于第一导电层之第二区域上制造数个第二凹陷面。图案化第一导电层用来形成浮动闸，第一与第二凹陷面之界面则形成浮动闸上之垂直尖端。亦揭露一种形成电子射极的方法。