Barrierenschicht mit einer Titannitridbeschichtung für eine Kupfermetallsierungsschicht, die ein Dielektrikum mit kleinem epsilon aufweist

摘要

Es wird eine verbesserte Barrierentechnologie für Verbindungsstrukturelemente, insbesondere für Verbindungen auf Kupferbasis, bereitgestellt. Eine dünne Titannitridbeschichtung wird konform durch chemische Dampfabscheidung so aufgebracht, dass zuverlässig alle inneren Oberflächen der Verbindungsstrukturelemente abgedeckt sind, selbst wenn diese in einem porösen Material gebildet sind, so dass ein Oberflächenbereich mit verbesserter Benetzbarkeit für die Abscheidung eines nachfolgenden Barrierenmaterials bereitgestellt wird. Somit ist die Stufenbedeckung einer Sputter-Abscheidetechnik, die typischerweise für Barrierenschichten auf Tantalbasis verwendet wird, erfolgreich in Verbindung mit der Titannitridbeschichtung verwendbar, wodurch die Benetzungseigenschaften für die nachfolgende Abscheidung der Kupfersaatschicht im Vergleich zu einer Barrierenschicht auf Tantalbasis mittels ALD verbessert werden. Ferner gewährleistet das Vorsehen einer CVD-Titannitridbeschichtung in Verbindung mit einer durch Sputter-Abscheidung gebildeten Barrierenschicht einen deutlich höheren Durchsatz im Vergleich zu der konventionellen Technik mit einer Atomschichtabscheidung.