发明名称 METHOD FOR FORMING GATE PATTERN REDUCED CD BIAS IN PHERIPHERAL REGION
摘要
申请公布号 KR20050056405(A) 申请公布日期 2005.06.16
申请号 KR20030089412 申请日期 2003.12.10
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, KWANG OK
分类号 H01L21/027;(IPC1-7):H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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