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发明名称 METHOD OF FORMING A FLOATING GATE IN A FLASH MEMORY CELL
摘要
申请公布号 KR20050057793(A) 申请公布日期 2005.06.16
申请号 KR20030089984 申请日期 2003.12.11
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LEE, SUNG HOON
分类号 H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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