Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit Sperrschicht-Feldeffekttransistor, sowie Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung weist ein Substrat (1) und einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor auf. Der Transistor weist auf: eine erste Halbleiterschicht (2), die auf dem Substrat (1) angeordnet ist; eine erste Gateschicht (3), die auf einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (2) angeordnet ist; eine erste Kanalschicht (7) benachbart der ersten Gateschicht (3) auf dem Substrat (1); eine erste Sourceschicht (4), welche elektrisch mit der ersten Kanalschicht (7) verbunden ist; eine zweite Gateschicht (8) benachbart der ersten Kanalschicht (7), um die erste Kanalschicht (7) einzuschließen; eine zweite Kanalschicht (9) benachbart der zweiten Gateschicht (8), um die zweite Gateschicht (8) einzuschließen; eine dritte Gateschicht (10) benachbart der zweiten Kanalschicht (9), um die zweite Kanalschicht (9) einzuschließen, und eine zweite Sourceschicht (11), welche elektrisch mit der zweiten Kanalschicht (9) verbunden ist.