Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements und Verfahren zur Behandlung einer Halbleiteroberfläche

摘要

Gemäß der Erfindung wird ein Halbleitersubstrat mit einem in diesem ausgebildeten Graben einer Glühbehandlung unterzogen, und zwar nachdem Schutzfilme von den Grabenseitenwänden entfernt wurden, jedoch bevor ein Gate-Isolierfilm ausgebildet wird, und zwar in einer Wasserstoffatmosphäre, deren Druck größer oder gleich 26600 Pa und kleiner oder gleich 101080 Pa ist, oder in einer Gasgemischatmosphäre, deren Wasserstoffpartialdruck größer oder gleich 26600 Pa und kleiner oder gleich 101080 Pa ist, um eine Siliciumatom-Migration zu bewirken, welche das Planmachen der Grabenseitenwände erleichtert, derart, dass die Oberflächenrautiefe Rms der Grabenseitenwände 0,5 nm oder weniger beträgt und die Grabenecken abgerundet werden. Die Erfindung ist effektiv, um eine Halbleiteroberfläche plan zu machen, insbesondere die Zone der Halbleiteroberfläche, in welcher ein Gate-Isolierfilm ausgebildet werden soll, derart, dass die Oberflächenrautiefe Rms 0,5 nm oder weniger beträgt. Bei der Fertigung eines Trench-MOS-Halbleiterbauelementes ist die Erfindung effektiv, um die Grabenseitenwandoberflächen plan zu machen und die Grabenecken abzurunden.