| 发明名称 | 嵌位二极管结构（四） | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在N阱中做入两个反向连接的P－N－P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离开的独立P阱中做入两个反向连接的N－P－N二极管。本发明可使电压控制电路的面积缩小，利用正反相接的二极管相反的温度系数来补偿，减小温度特性偏移，而且在一个器件中就得到实现。工艺上易于实现，成本低。适用于半导体集成电路及分离元器件，在普通逻辑、EEPEOM或者Flash电路中可以取代稳压电路(BGR)。 | ||
| 申请公布号 | CN1627539A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200310109237.5 | 申请日期 | 2003.12.10 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;李平梁 |
| 分类号 | H01L29/861 | 主分类号 | H01L29/861 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种嵌位二极管结构，其特征在于：在N阱中做入两个反向连接的P-N-P二极管或在用N阱及掩埋型N阱隔离开的独立P阱中做入两个反向连接的N-P-N二极管。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||