发明名称 | 浸没式微影制程以及应用于浸没式微影制程的结构 | ||
摘要 | 本发明涉及一种浸没式微影制程,首先在材料层上形成有光阻层,并且在光阻层上形成有阻隔层。接着,进行浸没式曝光步骤,以在光阻层中形成有曝光区以及未曝光区。之后,进行处理步骤,以改变光阻层曝光区上方的阻隔层的性质。随后,进行显影步骤,以移除光阻层曝光区及其上方的阻隔层。由于本发明在光阻层顶部覆盖有阻隔层,因此在进行浸泡式曝光步骤时,光阻层中物质就不会扩散至浸没液中而造成污染。而且,上述阻隔层可以在进行显影步骤中一并图案化,因此可以省去移除阻隔层的步骤,进而简化制程。 | ||
申请公布号 | CN1627478A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
申请号 | CN200310121326.1 | 申请日期 | 2003.12.11 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张尚文;刘家助;陈家桢 |
分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沙捷 |
主权项 | 1.一种浸没式微影制程,包括:在材料层上形成有光阻层;在所述光阻层上形成有阻隔层;进行浸没式曝光步骤(immersion exposure),以在所述光阻层中形成有曝光区(exposed area)以及未曝光区(non-exposed area);进行处理步骤,以改变所述光阻层的所述曝光区上方的所述阻隔层的性质;以及进行显影步骤,以移除所述光阻层的所述曝光区及其上方的所述阻隔层。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |