| 发明名称 | 栅控二极管存储器单元及其写入方法 | ||
| 摘要 | 提供一种栅控二极管存储器单元，包含例如场效应晶体管(″FET″)的一或多个晶体管，和栅控二极管，所述栅控二极管与FET进行信号传送，使得栅控二极管的栅极与第一FET的源极进行信号传送，其中栅控二极管的栅极形成存储单元的一个端子，并且栅控二极管的源极形成存储单元的另一个端子，第一FET的漏极与位线(″BL″)进行信号传送，并且第一FET的栅极与写字线(″WLw″)进行信号传送，而栅控二极管的源极与读字线(″WLr″)进行信号传送。 | ||
| 申请公布号 | CN1627435A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200410094909.4 | 申请日期 | 2004.11.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 温格·K·鲁克;罗伯特·H·丹纳德 |
| 分类号 | G11C11/401;G11C11/409;H01L27/108;H01L21/8242 | 主分类号 | G11C11/401 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种栅控二极管存储器单元，包括：至少一个晶体管；和与该至少一个晶体管进行信号传送的栅控二极管。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||