发明名称 透明导电膜形成液和包含该形成液的透明导电膜附着基体的制造方法
摘要 本发明提供一种形成薄层电阻值和透明性极其均匀的透明导电膜的透明导电膜形成液。本发明还提供透明导电膜附着基体的制造方法,所述透明导电膜附着基体带有薄层电阻和透明性极其均匀的透明导电膜。具体地,提供具有如下特征的透明导电膜形成液和利用该透明导电膜形成液制造透明导电膜附着基体的方法,所述透明导电膜形成液的特征在于含有用式[1]表示的铟化合物和用式[2]表示的锡化合物,根据情况还可以含有溶解所述式[1]表示的铟化合物和所述式[2]表示的锡化合物的β-二酮类化合物:In(R<SUP>1</SUP>COCHCOR<SUP>2</SUP>)<SUB>3</SUB>[1]其中,R<SUP>1</SUP>和R<SUP>2</SUP>分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基;(R<SUP>3</SUP>)<SUB>2</SUB>Sn(OR<SUP>4</SUP>)<SUB>2</SUB>[2]其中,R<SUP>3</SUP>表示碳原子数为1-10的烷基,R<SUP>4</SUP>表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
申请公布号 CN1627449A 申请公布日期 2005.06.15
申请号 CN200310120293.9 申请日期 2003.12.12
申请人 日本曹达株式会社 发明人 瀬田康弘;权平英昭;大芦竜也;山田茂男;神田广行
分类号 H01B1/12;H01B13/00;H01B5/14 主分类号 H01B1/12
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 张平元;赵仁临
主权项 1.透明导电膜形成液,其特征在于:包含下式[1]表示的铟化合物和下式[2]表示的锡化合物: In(R1COCHCOR2)3 [1]其中,R1和R2分别独立地表示碳原子数为1-10的烷基或苯基; (R3)2Sn(OR4)2 [2]其中,R3表示碳原子数为1-10的烷基,R4表示碳原子数为1-10的烷基或碳原子数为1-10的酰基。
地址 日本东京都