| 发明名称 | 嵌位二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种嵌位二极管结构，在Pwell或Nwell上形成扩散区，该扩散区与隔离氧化区分离，并用硅化物阻挡区将其从电路上完全隔离开。本发明可使电压控制电路的面积大幅度缩小，减小二极管击穿电压(BV)的时间依存性，工艺上易于实现，成本低。适用于半导体集成电路及分离元器件，在EEPEOM或者Flash电路中可以取代稳压电路(BGR)。 | ||
| 申请公布号 | CN1627540A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200310109238.X | 申请日期 | 2003.12.10 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;李平梁 |
| 分类号 | H01L29/861 | 主分类号 | H01L29/861 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种嵌位二极管结构，在Pwell或Nwell上形成扩散区，其特征在于：该扩散区与隔离氧化区分离，并利用定义的硅化物阻挡区将其从电路上完全隔离开。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||