负电荷泵

摘要

本发明提供一种半导体衬底上形成的负电荷泵，它包括：电功率源，具有连接到所述衬底的第一端和连接到高电压端的第二端；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的输出电容器；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的多个充电电容器，连接到所述高电压端的所述充电电容器用第一组晶体管开关，连接到所述衬底的所述充电电容器用第二组晶体管开关；其中，所述第二组晶体管开关是NMOS晶体管，所述第一组晶体管开关是PMOS晶体管开关。在一种用途中，负电荷泵用于驱动白色LED。负电荷泵主要用n－沟道晶体管开关，占据较小的集成电路面积。而且，在启动电荷泵中用软启动机构。

主权项

1.半导体衬底上形成的负电荷泵，包括：电功率源，具有连接到所述衬底的第一端和连接到高电压端的第二端；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的输出电容器；连接在所述的高电压端与所述的衬底之间的多个充电电容器，连接到所述高电压端的所述充电电容器用第一组晶体管开关，连接到所述衬底的所述充电电容器用第二组晶体管开关；其特征是，所述第二组晶体管开关是NMOS晶体管，所述第一组晶体管开关是PMOS晶体管开关。