| 发明名称 | OTP器件（五） | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种OTP器件，将电容型晶体管直接做在衬底上。采用这样的结构，使本发明在普通逻辑工艺中，不追加任何光刻及工艺步骤的情况下，即可达到内藏高密度，高性能OTP器件的目的。本发明利用Native(本征)MOS电容结构的OTP器件不仅能大大缩小版图面积，同时达到提高耐压和提高有效电容效率等功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1627526A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200310109233.7 | 申请日期 | 2003.12.10 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;胡晓明 |
| 分类号 | H01L29/00;H01L29/92;H01L27/02;H01L27/115 | 主分类号 | H01L29/00 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种OTP器件，包括电容型晶体管，其特征在于：将电容型晶体管直接做在衬底上。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||