| 发明名称 | 降低聚合物存储器中写干扰的影响 | ||
| 摘要 | 通过在读取之后以一种抵消对于与寻址位相关的位线中比特的极性的任何影响的方式写回数据，可降低在聚合物存储器中出现的写干扰。例如，每次写回数据时，它的极性可以交替改变。在另一个实施例中，可随机改变极性。 | ||
| 申请公布号 | CN1628356A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN03802001.7 | 申请日期 | 2003.09.17 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·库尔森;J·吕克;R·法伯 |
| 分类号 | G11C11/22 | 主分类号 | G11C11/22 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种从聚合物存储器中读取数据的方法，包括：从聚合物存储器中读取数据；在读取所述数据之后，把所述数据写回到所述存储器；以及改变在读取所述数据之后写回的所述数据的极性。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||