| 发明名称 | 光掩模组结构与微影制程 | ||
| 摘要 | 一种光掩模组结构与微影制程，适用于光致抗蚀剂层上，在该光致抗蚀剂层中形成预定的曝光图案。此光掩模组结构包括各具不同图案的数个光掩模；而在微影制程时，分别以每一个光掩模对光致抗蚀剂层进行一次曝光，并于多次曝光后形成预定图案于光致抗蚀剂层之中。 | ||
| 申请公布号 | CN1206701C | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN01109734.5 | 申请日期 | 2001.03.29 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 王立铭;蔡高财 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/20 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1、一种光掩模组结构，其适用于光致抗蚀剂层的微影制程中，其特征在于：其在光致抗蚀剂层中形成预定曝光图案，其包含各具不同图案的复数个光掩模，且在分别以每一光掩模对该光致抗蚀剂层进行一次曝光之后，即可得到该预定曝光图案。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区研新三路四号 | ||