发明名称 | 抗高压摆动的输入级 | ||
摘要 | 一种电路包括:信号输入端(IN),用于接收输入信号(s(t));以及数字输入级(15),它设计成以电源电压(V<SUB>DD</SUB>)工作。数字输入级(15)包括:各CMOS晶体管,它们对于晶体管节点上超过电压极限(V<SUB>max</SUB>)的电压很敏感;以及输入端(IINV)。电压限制装置(B)包括可以由输入信号s(t)的状态来控制的输入开关(ns),用来将输入端(IINV)的电压限制在电源电压(V<SUB>DD</SUB>)。此外,在信号输入端(IN)和电源电压(V<SUB>DD</SUB>)之间设置过压保护装置(A)。过压保护装置(A)包括至少一个有源电路元件,这样设置所述有源电路元件,以便模仿一部分齐纳功能。 | ||
申请公布号 | CN1628416A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
申请号 | CN03803229.5 | 申请日期 | 2003.01.29 |
申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | R·F·P·贝克 |
分类号 | H03K19/003 | 主分类号 | H03K19/003 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;陈景峻 |
主权项 | 1.一种电路,它包括:-信号输入端(IN),用于接收输入信号(s(t)),-数字输入级(15),它设计成以电源电压(VDD)工作,所述数字输入级(15)包括:-各个CMOS晶体管,它们对于晶体管节点上超过电压极限(Vmax)的电压很敏感,-输入端(IINV),-电压限制装置(B),它设置在所述信号输入端(IN)和输入端(IINV)之间,用来将所述输入端(IINV)的电压限制在电源电压(VDD),所述电压限制装置(B)包括: -输入开关ns,可由所述输入信号(s(t))的状态来控制,-过压保护装置(A),位于所述信号输入端(IN)和所述电源电压(VDD)之间,所述过压保护装置(A)包括至少一个有源电路元件,这样设置所述有源电路元件以便至少模仿齐纳功能的击穿部分。 | ||
地址 | 荷兰艾恩德霍芬 |