发明名称 表面发光半导体激光器及其制造方法和光学装置
摘要 公开了一种能够稳定地保持高功率的单一水平模式的结构的表面发光半导体激光器和一种包含具有表面发光半导体激光器的光源装置的光学装置。由低折射率区域组成的散射损失结构部分被设置为围绕表面发光半导体激光器的主流路径,即围绕腔体结构部分;低折射率区域被以一定间隔设置;与中心部分相对的顶端部分的形状被设为逐渐变细的形状,例如为一个锐角。因此,在腔体结构部分中,位于外围部分中的高阶模式发射光的损失变大,从而可以构造一种能够振荡出具有良好特性的单一模式激光的表面发光半导体激光器。
申请公布号 CN1627576A 申请公布日期 2005.06.15
申请号 CN200410100546.0 申请日期 2004.10.28
申请人 索尼株式会社;马场俊彦 发明人 马场俊彦;松园淳史;古川昭夫;佐佐木智;星光成
分类号 H01S5/18;H01S5/00 主分类号 H01S5/18
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王景刚;李瑞海
主权项 1、一种表面发光半导体激光器,其中设置第一和第二分布布拉格反射镜和位于此两者之间的有源层以形成垂直方向谐振器,其中:引起散射损失的散射损失结构部份被设置于所述的谐振器的外围部分,所述的散射损失结构部分具有至少一个与激光器的主流路径相对的对立端。
地址 日本东京都