| 发明名称 | 在半导体装置中制造电容器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过使用氧化铪(Hf<SUB>1－x</SUB>Tb<SUB>x</SUB>O)作为介电层在一半导体装置中制作电容器的方法。该方法包括下列步骤：在一基底上形成一下电极；在该下电极上形成一非晶体的氧化铪(Hf<SUB>1－x</SUB>Tb<SUB>x</SUB>O)介电层；通过执行一热处理使该氧化铪(Hf<SUB>1－x</SUB>Tb<SUB>x</SUB>O)介电层结晶；且在该氧化铪(Hf<SUB>1－x</SUB>Tb<SUB>x</SUB>O)介电层上形成一上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1627499A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN200410062626.1 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李起正;卢载盛 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/316;H01L21/285 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中制造电容器的方法，包括下列步骤：在一基底上形成一下电极；在所述下电极上形成一非晶体的氧化铪铽(Hf1-xTbxO)介电层；通过执行一热处理使所述氧化铪铽(Hf1-xTbxO)介电层结晶；以及在所述氧化铪铽(Hf1-xTbxO)介电层上形成一上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||