发明名称 | 检测图案缺陷过程的方法 | ||
摘要 | 揭示了一种检测图案缺陷过程的方法,其中,形成一层,从而在基片上产生信噪比。本发明还提供了一种检测图案缺陷过程的方法。首先,提供基片。接着,在基片上形成器件剖面,其中,器件剖面包含缺陷部分。随后,在器件剖面和基片上形成一层,其中,层具有不同于器件剖面蚀刻选择性的蚀刻选择性。下一步,除去一部分层使之在器件剖面上截断,并产生反向掩模。随后,使用反向掩模作为掩模在基片上蚀刻器件剖面。最后,除去反向掩模。 | ||
申请公布号 | CN1206718C | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
申请号 | CN02143830.7 | 申请日期 | 2002.09.25 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 葉家福 |
分类号 | H01L21/66;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
主权项 | 1.一种检测图案缺陷过程的方法,其特征在于,所述的方法包括;提供基片;在所述基片上形成器件,其中,所述器件包含缺陷部分;在所述的器件和所述的基片上形成一层,其中,所述的层具有不同于所述器件蚀刻选择性的蚀刻选择性;除去一部分停留在所述器件上的所述层,并形成反向掩模;使用所述反向掩模作为掩模以蚀刻位于所述基片上的所述器件;以及除去所述反向掩模,而留下位于所述基片上所述缺陷部分。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |