第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法，在基片11的背面(基片面11b)形成反射层10，该反射层10在发光元件侧壁21a的蓝宝石基片附近的外周大致一周上设有扩张部10a。这样反射层形成面(基片面11b)外周附近的反射层10与基片的粘着性通过上述扩张部10a的形成被大幅度增强，所以反射层10以反射层形成面的外周附近作为起点的剥离没有了。所以即使设置把粘着片贴在反射层10上、把发光元件100固定在粘着片上的工序，也不会发生有反射层剥离的不合格品。这样可大幅度提高为提高发光效率设置了反射层10的半导体发光元件100的质量和生产性。侧壁21a上也可设置限制反射层10过于扩张的短路防止槽。

主权项

1.一种第III族氮化物系化合物半导体发光元件，是由第III族氮化物系化合物半导体构成的多个半导体层通过结晶成长而积层的发光元件，其特征在于，把从所述发光元件具有的发光层放出的光反射的反射层的主面形成在所述发光元件一边的面上，所述反射层具有通过将其一部分扩张到所述发光元件侧壁的一部分上而形成的扩张部，所述侧壁具有限制所述发射层扩张的短路防止槽。