发明名称 | 表面处理方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种通过用光照射相互接触的待处理材料和介体材料的方式而对待处理材料的表面进行处理的表面处理方法,介体材料自身在光照期间基本上不发生相互作用。待处理材料的表面通过提供一个化学反应场来进行处理,在该化学反应场中,通过光照,通过采用待处理材料与介体材料之间的接触界面和光照区的逻辑产物,待处理材料的取代基和介体材料的原子团中的原子同时通过激发而被诱导,由此引起并进行键合状态转变。 | ||
申请公布号 | CN1206263C | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
申请号 | CN02121881.1 | 申请日期 | 2002.04.26 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 小出纯 |
分类号 | C08J7/12;C08L101/00 | 主分类号 | C08J7/12 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈季壮 |
主权项 | 1.一种通过用光照射相互接触的待处理材料和介体材料的方式而对待处理材料的表面进行处理的表面处理方法,其中介体材料自身在光照期间基本上不发生相互作用,待处理材料的表面通过提供一个化学反应场来进行处理,在该化学反应场中,通过光照,通过采用待处理材料与介体材料之间的接触界面和光照区的逻辑产物,待处理材料的取代基和介体材料的原子团中的原子同时通过激发而被诱导,由此引起并进行键合状态转变,其中在待处理材料与所述介体材料接触的同时,用波长为221.4-351.6nm的紫外辐射线照射待处理材料与介体材料之间的接触界面,从而用介体材料中的氟化碳基团取代待处理材料表面上的碳原子-氢原子单键基团中的氢原子,并改进等处理材料的表面,其中所述介体材料是一种液态聚合物聚集体,该聚合物的主链上带有醚键基团和氟化碳CnFm基团,其中n=1,2,3...,m=2n或2n+1。 | ||
地址 | 日本东京 |