用于半导体处理设备中的抗卤素的阳极氧化铝

摘要

我们发现了一种铝合金部件表面的微粒夹杂物的形成，此夹杂物干扰从合金表面到此表面上的氧化铝保护层的平滑过渡，氧化铝保护层可以通过以下方法控制：保持可变杂质及其中的化合物的成分；在低于330摄氏度的温度下热处理此铝合金；和通过采用一个特定的电解工艺过程来形成氧化铝保护膜。当把这些因素考虑进去之后，可以获得一种改进的氧化铝保护膜。

主权项

1.一种高纯度铝合金，其具有在所述合金中存在的可控微粒尺寸和分布的可变杂质，所述高纯度铝合金被用于半导体处理设备的制造，在此设备中，暴露于腐蚀性的环境中的铝合金会退化，这种铝合金也不显示出可控制的可变杂质微粒尺寸和分布；所述高纯度铝合金含有的可变杂质微粒是在一个特定的限制内，以便至少95％的微粒的尺寸是5微米或更小，不多于5％的所述微粒在20微米到5微米的范围内，和不多于0.2％的所述微粒在50微米到20微米的范围内。