| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：在第一导电类型的半导体衬底内形成第二导电类型的第一阱区域的步骤；在半导体衬底内形成其杂质浓度比第一阱区域的杂质浓度高的第二导电类型的第二阱区域的步骤；在第一阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在第二阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以穿透第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜的条件向第一阱区域和第二阱区域内离子注入第一导电类型的第一杂质，在第一栅绝缘膜之下形成第二离子注入层，在第二栅绝缘膜之下形成第一离子注入层步骤；以及以不穿透第一栅绝缘膜、穿透第二栅绝缘膜的条件，向第二阱区域内离子注入第一导电类型的第二杂质，在第二栅绝缘膜之下形成第三离子注入层的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1206712C | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN02152674.5 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;新潟三洋电子株式会社 | 发明人 | 上原正文;菊地修一;木绵正明 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列步骤：在第一导电类型的半导体衬底内形成第二导电类型的第一阱区域的步骤；在上述半导体衬底内形成其杂质浓度比上述第一阱区域的杂质浓度高的第二导电类型的第二阱区域的步骤；在上述第一阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在上述第二阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以穿透上述第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜的条件向上述第一阱区域和第二阱区域内离子注入第一导电类型的第一杂质，在上述第一栅绝缘膜之下形成第二离子注入层，在上述第二栅绝缘膜之下形成第一离子注入层步骤；以及以不穿透上述第一栅绝缘膜、穿透上述第二栅绝缘膜的条件，向上述第二阱区域内离子注入第一导电类型的第二杂质，在上述第二栅绝缘膜之下形成第三离子注入层的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||