发明名称 降低缓冲区掏空发生频率的方法
摘要 本发明提供一种降低缓冲区掏空发生频率的方法,通过改变光驱的盘片刻录速度来降低缓冲区掏空(BURN)发生的次数;一开始光驱从操作系统或应用程序中接收要刻录的数据,当接收的数据量达某一临界值时即激活刻录动作,并记录此时的时间值与在缓冲区(Buffer)内的数据量,当发生BURN时,则将此时的时间值与之前记录的数据量、时间值等作运算,以获得系统传送数据的速度与光驱刻录速度的差值,以最佳化光驱的刻录速度,进而提高盘片刻录的品质与效率。
申请公布号 CN1206649C 申请公布日期 2005.06.15
申请号 CN01136520.X 申请日期 2001.10.15
申请人 建兴电子科技股份有限公司 发明人 陈凌风
分类号 G11B19/00;G11B7/00;G11B20/10 主分类号 G11B19/00
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1、一种降低缓冲区掏空发生频率的方法,应用于发生缓冲区掏空(BURN)时能继续进行刻录动作的光驱,其特征是,该方法包括下列步骤:(a)当缓冲区内的数据量达到一第一临界值时即激活刻录动作,并记录此时的时间值T1、缓冲区内的数据量X与光驱刻录速度V1;(b)发生缓冲区掏空时,即使光驱进入暂停状态,并记录此时的时间值T2;(c)由上述T1、T2、X及V1计算出系统传送数据的速度V2=V1-[X/(T2-T1)];(d)当缓冲区的数据量X达到该第一临界值时即进入刻录状态,且当V1-V2的值大于一第二临界值时,降低光驱的烧录速度;以及(e)在所有的数据都写入盘片后即结束刻录动作。
地址 中国台湾