堆叠式栅极快闪存储元件

摘要

一种堆叠式栅极快闪存储元件，通过具有一源极线介于堆叠栅极之间，且此源极线的表面高度低于堆叠栅极的高度，当源极线开口发生对准失误而曝露出控制栅极时，此种凹入式的源极线可以避免源极线与控制栅极之间发生短路，达到提高元件优良率及增加元件可靠度的目的。

主权项

1、一种堆叠式栅极快闪存储元件，其特征是：它包括隧穿氧化层设于半导体基底上；堆叠栅极阵列设于该隧穿氧化层上，该堆叠栅极包括一浮置栅极于该隧穿氧化层上、栅极间介电层于该浮置栅极上及控制栅极于该栅极间介电层上；交替排列的源极/漏极区设于该堆叠栅极之间；第一介电层覆于该堆叠栅极与基底上，该第一介电层具有一源极线开口通到该源极区；源极线填满部分的该源极线开口与该源极区形成接触，该源极线设置于该堆叠栅极之间，且其表面高度低于该堆叠栅极；第二介电层覆于该源极线与该第一介电层上，该第二介电层具有一栓塞开口通到该漏极区；漏极金属栓塞填入该栓塞开口与该漏极形成接触；金属位线设于该第二介电层上，与该漏极金属栓塞形成接触。