| 主权项 |
1.一种用以发射具有波长之光[23]之垂直腔面射型雷射[100],包括:基材[12];相邻该基材[12]之主动区[20];沉积在该主动区[20]及该基材[12]间之第一镜面[16];及沉积在相邻该主动区[20]之第二镜面[24],使得该主动区[20]位在该第二镜面[24]及该第一镜面[16]之间;及离子[160]植入之分隔区[180]延伸入该主动区[20];其中该第二镜面[24]包含氧化物绝缘区[140];及其中该第一镜面[16]及该第二镜面[24]藉至少一个波长之光路径长度所分离。2.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射[100],其中该氧化物绝缘区[140]与该离子[160]植入之分隔区[180]限制电流流经该离子[160]植入之分隔区[180]之中心。3.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射[100],其中该离子[160]植入之分隔区[180]集中对准该氧化物绝缘区[140]。4.如申请专利范围第1项之垂直腔面射型雷射[100],其中该氧化物绝缘区[140]具有小于1/4波长之光路径长度。5.一种用以发射具有波长之光之垂直腔面射型雷射[100],包括:基材[12];相邻该基材[12]之主动区;沉积在该主动区[20]及该基材[12]间之第一镜面[16];及相邻该主动区之第二镜面[24],使得该主动区[20]位在该第二镜面[24]及该第一镜面[16]之间,该第二镜面[24]包含由大于97%铝所构成之高铝含量层;及离子[160]植入之分隔区[180]延伸入该主动区[20];其中该高铝含量层氧化成氧化物绝缘区[140];及其中该第一镜面[16]及该第二镜面[24]藉至少一个波长之光路径长度所分离。6.如申请专利范围第5项之垂直腔面射型雷射[100],又包括沉积在该第一镜面[16]及该主动区[20]间之第一分隔器[18],及沉积在该主动区[20]及该第二镜面[24]间之第二分隔器[22],其中该氧化物绝缘区[140]延伸入该第二分隔器[22]。7.如申请专利范围第5项之垂直腔面射型雷射[100],其中该氧化物绝缘区[140]与该离子[160]植入之分隔区[180]限制电流流经该离子[160]植入之分隔区[180]之中心。8.如申请专利范围第5项之垂直腔面射型雷射[100],其中该氧化物绝缘区[140]具有小于1/4波长之光路径长度。9.一种形成垂直腔面射型雷射[100]之方法,包括:在基材[12]上形成第一电触点;在基材[12]上形成第一镜面[16];在第一镜面[16]上形成下方分隔器[18];在第一镜面[16]上形成主动区[20];在主动区[20]上形成上端分隔器[22];在上端分隔器[22]上形成第二镜面[24],其中该第二镜面[24]包含高铝含量层;在第二镜面[24]上形成导电层[9];在导电层[9]上形成覆盖层[8];在覆盖层[8]上形成第二电触点[26];使该高铝含量层氧化形成氧化物层[140];及使氧化层[140]下之至少部分主动区[20]予以离子[160]植入;其中该第一镜面[16]及第二镜面[24]为沿着光路径离开之至少一波长。10.如申请专利范围第9项之形成垂直腔面射型雷射[100]之方法,其中使高铝含量层氧化产生环状氧化物层[140],其中离子[160]植入在主动区[20]中产生非放射中心且其中该氧化物层[140]为小于1/4波长之厚度。图式简单说明:图1说明典型之垂直腔面射型雷射;及图2说明依据本发明理论之垂直腔面射型雷射。 |
