| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,配设有截面凸状之装设部,能够将用以使上述外壳本体之平面尺寸增大之金属制辅助器具之凹部,嵌合在覆盖搭载半导体晶片之基板之零件搭载面状被覆之树脂制外壳本体之一部分。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述截面凸状之装设部系在外壳本体之厚度方向配设一个。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,在上述截面凸状之装设部,嵌合上述辅助器具之凹部之方向之长度,较上述截面凸状之安装部之厚度大。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述截面凸状之装设部之状态,在上述外壳本体之表面侧与里面侧成非对称状。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述外壳本体之表面侧之上述截面凸状之装设部之宽度,较上述外壳本体表面之相对面之上述截面凸状之装设部之宽度为宽。6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,在上述辅助器具配设爪部,用以钩住设在上述外壳本体之沟部,藉此将上述辅助器具成装卸自如之状态固定在上述外壳本体。7.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,将上述爪部设在形成于辅助器具之支持部前端。8.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述支持部具有弹性力。9.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述支持部以板条弹簧形成。10.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述爪部及支持部,与上述辅助器具形成为一整体。11.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述截面凸状之装设部系在上述外壳本体,配设于嵌合上述辅助器具之一面之两角部之两处。12.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,上述截面凸状之装设部所夹之部分,较其装设部之厚度相对的厚。13.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,在上述截面凸状之装设部所夹之部分配设可钩住上述辅助器具之爪部,将上述辅助器具成装卸自如之状态固定在上述外壳本体用之沟部。14.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述半导体晶片形成有记忆电路。15.一种半导体装置,其特征在于,在上述外壳本体配设用以嵌合上述辅助器具之凹部之截面凸状之装设部,使其能够将用以使上述外壳本体之平面尺寸增大之金属制辅助器具,成装卸自如状被覆于搭载半导体晶片之基板之零件搭载面之外壳本体。16.一种半导体装置,其特征在于,备有,覆盖搭载半导体晶片之基板之零件搭载面状被覆之树脂制之外壳本体,上述基板之面积在上述外壳本体之面积之一半或一半以下。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中,上述半导体晶片形成有记忆电路。18.一种半导体装置之制造方法,其特征在于,具有,在成型用以覆盖搭载半导体晶片之基板之零件搭载面之树脂制外壳本体时,使用,形成上述外壳本体之内侧面之下模之模腔之深度,较形成上述外壳本体之外侧表面之上模之模腔之深度大之模塑用金属模具之制程。19.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,系将令树脂流入模腔时成为通路之闸门之一大半,配设在上述下模侧。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,系使上述闸门所处位置之模腔部分之厚度,较其上下之模腔部分之厚度为厚。21.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方法,在上述外壳本体配设,用以嵌合上述辅助器具之凹部之截面凸状之装设部,使其能够以装卸自如状在上述外壳本体安装,用以将上述外壳本体之平面尺寸增大之金属制辅助器具。22.一种半导体装置,其特征在于,具备有:外壳本体;形成在上述外壳本体之一面之沟;以零件搭载面朝向上述沟内之状态安装之基板;及搭载于上述零件搭载面之多数半导体晶片;前述基板系前述沟之底面被覆前述基板之零件搭载面地加以配置,前述基板之零件搭载面之相反侧之面乃由前述外壳本体露出,在上述沟及上述基板,沿上述外壳本体之长度方向之长度,较上述外壳本体之长度方向之全长为短,在上述沟及上述基板,位于上述外壳本体之中央侧之两角部之角被去除,形成第1去角部。23.如申请专利范围第22项之半导体装置,在上述第1去角部,沿上述外壳本体之长度方向之长度,及垂直于此方向之长度,较去除上述外壳本体之前面侧之一方之角部而形成之第2去角部之倾斜面之长度小。24.如申请专利范围第22项之半导体装置,在上述第1去角部,沿上述外壳本体之长度方向之长度,与垂直于此之方向之长度相等。25.如申请专利范围第22项之半导体装置,将上述两角部之上述第1去角部形成为相互左右对称状。26.如申请专利范围第22项之半导体装置,将上述多数半导体晶片系并排配置在与上述外壳本体之长度方向交叉之方向。27.如申请专利范围第26项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于离开上述第3去角部处,搭载具有由上述控制电路控制动作之记忆电路之半导体晶片。28.如申请专利范围第26项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁处,搭载上述多数半导体晶片中之相对小之半导体晶片,于离开上述第3去角部处,搭载上述多数半导体晶片中之相对大之半导体晶片。29.如申请专利范围第28项之半导体装置,在上述相对小之半导体晶片形成控制电路,在上述相对大之半导体晶片则形成由上述控制电路控制其动作之记忆电路。30.一种半导体装置,其特征在于,具备有:外壳本体;形成在上述外壳本体之一面之沟;以零件搭载面朝向上述沟内之状态安装之基板;及搭载于上述零件搭载面之多数半导体晶片;在上述沟及上述基板,沿上述外壳本体之长度方向之长度,较上述外壳本体之长度方向之全长为短,在上述沟及上述基板,位于上述外壳本体之中央侧之边之至少一部分形成凹凸。31.如申请专利范围第30项之半导体装置,将上述多数半导体晶片系并排配置在与上述外壳本体之长度方向交叉之方向。32.如申请专利范围第31项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁处,搭载具有控制电路之半导体晶片,于离开上述第3去角部处,搭载具有由上述控制电路控制其动作之记忆电路之半导体晶片。33.如申请专利范围第31项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁处,搭载上述多数半导体晶片中之相对小之半导体晶片,于离开上述第3去角部处,搭载上述多数半导体晶片中之相对大之半导体晶片。34.如申请专利范围第33项之半导体装置,在上述相对小之半导体晶片形成控制电路,在上述相对大之半导体晶片则形成由上述控制电路控制其动作之记忆电路。35.一种半导体装置,其特征在于,具备有:外壳本体;形成在上述外壳本体之一面之沟;以零件搭载面朝向上述沟内之状态安装之基板;及搭载于上述零件搭载面之多数半导体晶片;在上述沟及上述基板,沿上述外壳本体之长度方向之长度,较上述外壳本体之长度方向之全长为短,上述多数半导体晶片系配置在沿交叉于上述外壳本体之长度方向之方向。36.如申请专利范围第35项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁处,搭载具有控制电路之半导体晶片,于离开上述第3去角部处,搭载具有由上述控制电路控制其动作之记忆电路之半导体晶片。37.如申请专利范围第35项之半导体装置,上述基板之前面侧之一方角部之角被去除,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁处,搭载上述多数半导体晶片中之相对小之半导体晶片,于离开上述第3去角部处,搭载上述多数半导体晶片中之相对大之半导体晶片。38.如申请专利范围第37项之半导体装置,在上述相对小之半导体晶片形成控制电路,在上述相对大之半导体晶片则形成由上述控制电路控制其动作之记忆电路。39.一种半导体装置之制造方法,其特征在于,具备有:(a)准备成一体状具有多数基板之基板形成体之制程;(b)在上述基板形成体之各基板之零件搭载面上搭载多数半导体晶片之制程;(c)在上述各基板,以电气方式连接上述多数半导体晶片与基板之制程;(d)在上述各基板,封装上述多数半导体晶片之制程;(e)从上述(d)制程后之上述基板形成体切出各基板之制程;(f)将上述(e)制程后之基板安装在第1外壳本体之制程;(g)将上述(e)制程后之基板安装在平面尺寸较上述第1外壳小之第2外壳本体之制程,上述(f)制程具有:(f1)准备具有,用以安装在上述基板而形成在上述第1外壳本体之一面,沿上述第1外壳本体之长度方向之边之长度,较上述第1外壳本体之长度方向之全长短之第1沟之第1外壳之制程;(f2)将上述零件搭载面朝向上述第1沟内之状态安装基板之制程;上述(g)制程具有:(g1)准备具有与上述第1沟同样之第2沟之上述第2外壳本体之制程;(g2)将上述零件搭载面朝向上述第2沟内之状态安装基板之制程。40.如申请专利范围第39项之半导体装置之制造方法,其中,上述第2外壳之平面尺寸系上述第1外壳之一半。41.如申请专利范围第39项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1、第2沟及位于上述各基板之上述第1外壳本体之中央侧之两角部,其角被去除而形成第1去角部。42.如申请专利范围第39项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1、第2沟及位于上述各基板之上述第1外壳本体之中央侧之边之至少一部分,形成有凹凸。43.如申请专利范围第39项之半导体装置之制造方法,上述(b)制程系将上述多数半导体晶片,沿着上述各基板之长度方向排列搭载。44.如申请专利范围第43项之半导体装置之制造方法,上述各基板之前面侧之一方之角部被去角,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁,搭载具有控制器电路之半导体晶片,在离开上述第3去角部之部位搭载,具有藉由上述控制电路控制其动作之记忆电路之半导体晶片。45.如申请专利范围第43项之半导体装置之制造方法,上述基板之前面侧之一方之角部被去角,形成第3去角部,在上述零件搭载面,于上述第3去角部之近旁,搭载上述多数半导体晶片中相对小之半导体晶片,在离开上述第3去角部之部位,搭载上述多数半导体晶片中相对大之半导体晶片。46.如申请专利范围第45项之半导体装置之制造方法,在上述相对小之半导体晶片形成控制电路,在上述相对大之半导体晶片则形成由上述控制电路控制其动作之记忆电路。47.如申请专利范围第22项之半导体装置,其中,前述沟及前述基板中,位于前述外壳本体之外侧的两角部,乃一方之角部被取下角部形成第2之倒角部,另一方之角部则不进行倒角处理。48.一种半导体装置,其特征系具有于该一面,具有沟之树脂制外壳,和于该主面搭载半导体晶片,于前述主面和相反侧之背面,具有与前述半导体晶片电气性连接之复数之外部端子的配线基板;前述配线基板乃前述主面面向前述树脂外壳之沟之底面,且前述背面之复数之外部端子则由前述树脂制外壳露出地,配置于前述树脂制外壳之沟内,前述沟及前述配线基板乃较沿前述树脂制外壳之长度方向的长度为短地加以形成,前述沟及前述配线基板乃位于前述树脂制外壳之中央侧的两角部,角部被直线性处理,形成第1之倒角部。49.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有:一基板,具有形成于其一表面上的复数外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该复数外部端子;及一盖构件,形成于该基板的该另一表面,以覆盖该半导体晶片;及一转接器构件,连附于该卡本体以增大该卡本体之尺寸,并调整该卡本体在一多媒体卡内之标准外部尺寸。50.如申请专利范围第49项之多媒体卡,其中,该转接器构件系由不锈钢所成型。51.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有:一基板,具有形成于其一表面上的复数外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该复数外部端子;及一树脂盖构件,形成于该基板的该另一表面,以覆盖该半导体晶片;及一金属转接器构件,连附于该卡本体;其中,该盖构件具有一第一部和第二部,该第一部具有定义一多媒体卡厚度的一第一厚度,而该第二部从该第一部突出,且具有较该第一部之该第一厚度薄的一第二厚度;其中,该转接器构件具有一连接部,以结合该第二部和该盖构件。52.如申请专利范围第51项之多媒体卡,其中,从剖面图中,该转接器构件之该连接部系围绕着该盖构件的该第二部。53.如申请专利范围第51项之多媒体卡,其中,该转接器构件之该连接部具有设于该基板的该一表面之一侧的一第一部,及设于该基板的该另一表面之一侧的一第二部,及其中,该转接器构件之该连接部的该第一、二部之长度彼此不同。54.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有:一基板,具有形成于其一表面上的复数外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该复数外部端子;及一盖构件,形成于该基板的该另一表面,以覆盖该半导体晶片;及一转接器构件,连附于该卡本体;其中,该转接器构件具有一段差部,以从一卡槽抽出该卡本体。55.如申请专利范围第54项之多媒体卡,其中,该段差部系成型于该转接器构件的两侧。56.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有:一基板,具有形成于其一表面上的复数外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该复数外部端子;及一盖构件,形成于该基板的该另一表面,以覆盖该半导体晶片;及一转接器构件,连附于该卡本体;其中,该转接器构件于该第一部的两侧,具有一第一连接部和一第二连接部;其中,该转接器构件的该第一连接部和该第二连接部藉由形成于其间的切口而相互分离;且其中,该转接器构件之第一连接部具有一段差部,以从该卡本体的一前表面侧,延伸至该卡本体的一后表面侧。57.如申请专利范围第56项之多媒体卡,其中,该转接器构件的该第一连接部,藉由其弹性变形连附于该卡本体,且其中,藉由将该转接器构件之该第一连接部,从该卡本体的该前表面侧,推向该卡本体的该后表面侧,而将该转接器构件拆离该卡本体。58.一种多媒体卡,包含:一盖体,具有一槽:一基板,具有一前表面,一后表面,及设于该后表面上的外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的该前表面上;其中,该基板和该半导体晶片设于该槽内;及其中,该基板的长度较该记忆卡纵向长度的一半还短。59.一种多媒体卡,包含:一前表面;一后表面;一前面;一后面;一盖体,具有一前表面,一后表面,及位于其后表面上的一槽:一基板,具有一前表面,一后表面,及设于该后表面上的外部端子;一半导体晶片,设置于该基板的该前表面上,且与该外部端子电性连接;其中,该基板和该半导体晶片设于该槽内;及其中,该槽系形成于该后表面一半的一前面侧。60.如申请专利范围第59项之多媒体卡,其中,在平面图中,该基板的一后表面侧和该槽系被倒角。61.如申请专利范围第59项之多媒体卡,其中,该盖体系由具绝缘性质的树脂所成型。62.如申请专利范围第59项之多媒体卡,更包含在该记忆卡之一后侧附近,形成于该盖体之一后表面上的第一卡移除槽。63.如申请专利范围第62项之多媒体卡,更包含在该记忆卡之一后侧附近,形成于该盖体之一前表面上的第二卡移除槽。64.如申请专利范围第63项之多媒体卡,更包含:一盖体,具有一槽:一基板,具有一前表面,一后表面;一半导体晶片,设置于该基板的该前表面上,且与该外部端子电性连接;其中,该十三外部端子形成于该基板的该后表面上;其中,该半导体晶片和该基板系设置于该槽内;及其中,在平面图中,该基板的一后表面侧和该槽系被倒角。65.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的半导体晶片,该基板具有于一第一方向延伸的一对相反边,及于大致垂直该第一方向的一第二方向延伸的一第二对相反边;复数外部端子,形成于该基板的该后表面,且被设置于该基板的该第一对相反边之一边附近;一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;一卡合槽,形成于该盖体的一后表面,且被设置于该基板的该第一对相反边之另一边附近,并位于该基板的该第二对相反边之间的一大致中央位置。66.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的半导体晶片,且具有形成于该基板的该后表面之一第一长边附近的复数外部端子;一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;其中,一卡合槽形成于该盖体的一后表面上,正对该第一长边的一第二长边附近,且在该盖体的该纵向中心。67.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的半导体晶片,且具有形成于该基板的该后表面之一第一长边附近的复数外部端子;及一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;其中,用以指示该记忆卡插入方向的具有箭头形状的记号,形成在该盖体的一表面上。68.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的半导体晶片,且具有形成于该基板的该后表面之一第一长边附近的复数外部端子;及一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;其中,供一手指处按以移除卡的一槽,形成于该盖体的一前表面,正对该第一长边的一第二长边附近,且在该盖体的该纵向中心。69.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的半导体晶片,且具有形成于该基板的该后表面之一第一长边附近的复数外部端子;及一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;其中,该基板具有两倒角部,消除该基板正对该第一长边之一第二长边的两角落。70.一种制造一多媒体卡的方法,包含下列步骤:(a)准备一体成型的一基板成型体,其具有复数基板和相随之一支架本体,藉由细小的连接部将该等基板连接于该支架本体,该等细小连接部系连接于各基板之两短边中心;且该支架本体、该连接部及该等基板系一体成型;(b)安装复数半导体晶片于该基板成型体之每一基板的零件组装表面上;(c)经由结合导线电性连接每一基板上之复数半导体晶片于基板;(d)以一转换模密封每一基板上的复数半导体晶片;(e)藉由切断该连接部,以将每一基板与该基板成型体分离。71.一种多媒体卡,包含:一基板,具有安装于其零件组装表面上的一记忆晶片和一控制晶片,且具有形成于该基板的该后表面之一第一长边附近的复数外部端子;及一盖体,覆盖该基板之该零件组装表面;其中,该记忆晶片和该控制晶片沿该基板之纵向平行设置。72.如申请专利范围第71项之多媒体卡,其中,该记忆晶片和该控制晶片沿该外部端子设置的方向平行设置。73.如申请专利范围第23项之半导体装置,其中,沿该基板之该第一长边,一角落部形成一倒角部;且该记忆晶片设置于相对远离该倒角部的一位置;而该控制晶片设置在相对接近该倒角部的一位置。74.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有:一基板,具有形成于其一表面上的复数外部端子;一第一半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该复数外部端子,该第一半导体晶片包含一控制电路;一第二半导体晶片,设置于该基板的另一表面,且电性连接于该第一半导体晶片,该第二半导体晶片包含一记忆电路,其系于该第一半导体晶片之该控制电路下;一盖构件,形成于该基板的该另一表面,以覆盖该第一、二半导体晶片;其中,在平面图中,该第一半导体晶片系设置于该基板的该复数外部端子和该第二半导体晶片间。75.如申请专利范围第74项之多媒体卡,其中,该第二半导体晶片包含一快闪记忆电路。76.如申请专利范围第75项之多媒体卡,更包含与该第二半导体晶片具相同功能的一第三半导体晶片,且其中该第三半导体晶片堆叠于该第二半导体晶片上。77.如申请专利范围第76项之多媒体卡,其中每一该第二和第三半导体晶片包含复数结合垫,且其中每一该第二和第三半导体晶片之复数结合垫,藉由复数第一结合导线,电性连接于形成在该基板之另一表面上的复数电极。78.如申请专利范围第77项之多媒体卡,其中该第一半导体晶片包含复数结合垫,且其中该第一半导体晶片之复数结合垫,藉由复数第二结合导线,电性连接于形成在该基板之另一表面上的复数电极。79.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有一上表面和与其正对之一后表面,该卡本体具有于一第一方向延伸的一对相反边,及于大致垂直该第一方向的一第二方向延伸的一第二对相反边;复数外部端子,形成于该卡本体的该后表面,且被设置于该卡本体的该第一对相反边之一边附近;一卡合槽,形成于该卡本体的一后表面,且被设置于该卡本体的该第一对相反边之另一边附近,并位于该基板的该第二对相反边之间的一大致中央位置。80.一种多媒体卡,包含:一卡本体,具有一上表面和与其正对之一后表面,该卡本体具有于一第一方向延伸的一对相反边,及于大致垂直该第一方向的一第二方向延伸的一第二对相反边;复数外部端子,形成于该卡本体的该后表面,且被设置于该卡本体的该第一对相反边之一边附近;其中,该卡本体具有一第一厚度,其定义该多媒体卡的一标准厚度;其中,该卡本体在该第一对相反边的两端部具有变薄部;且其中,该变薄部具有较该卡本体之该第一厚度更薄的一第二厚度。81.如申请专利范围第80项之多媒体卡,其中该变薄部是由形成在该卡本体之该上表面和该后表面两边的凹穴所定义,且其中该凹穴在该第二方向的长度彼此不同。82.如申请专利范围第81项之多媒体卡,其中在该卡本体上表面之该凹穴的长度,较在该卡本体后表面之该凹穴的长度更长。83.如申请专利范围第80项之多媒体卡,其中在平面图中,该变薄部之侧表面,从该卡本体之该第二对相反边向该卡本体的内侧倾斜。84.一种记忆卡,包含:一底座基板,具有一半导体晶片安装在其一部件安装面上,该底座基板具有延伸于一第一方向之一第一对之相对侧;多数外部端子,形成在该底座基板的一背面并被安排在该底座基板之第一对相对侧之一侧的附近;一盖部构件,覆盖底座基板的该部件安装面;及一扣接用凹槽被形成在该盖部之一面并安排在该底座基板的第一对相对侧的另一侧的附近。85.如申请专利范围第84项所述之记忆卡,更包含一密封树脂用以覆盖该半导体晶片。86.如申请专利范围第84项所述之记忆卡,其中该盖部系由与密封树脂不同材料作成。87.如申请专利范围第86项所述之记忆卡,其中该盖部系由绝缘树脂作成。88.如申请专利范围第87项所述之记忆卡,其中该密封树脂系由环氧为主树脂所作成。89.如申请专利范围第88项所述之记忆卡,其中该盖部定义该记忆卡的剖面轮廓。90.如申请专利范围第89项所述之记忆卡,其中该盖部系由ABS树脂或聚苯醚(PPE)。91.如申请专利范围第84-90项中任一项所述之记忆卡,其中更包含一转接器构件,附着至该卡本体。92.如申请专利范围第91项所述之记忆卡,其中该转接器构件具有一爪部,配合入该扣接用凹槽之内侧。93.如申请专利范围第92项所述之记忆卡,其中该爪部系由金属作成。94.如申请专利范围第93项所述之记忆卡,其中该盖部构件具有一第一部件,具有一定义一记忆卡厚度的第一厚度及具有多数第二部件,其由该第一部件突出并具有一较该第一部件之第一厚度为薄之第二厚度,其中该转接器部件具有一连接部份,以系住该盖部构件的该第二部件。95.如申请专利范围第94项所述之记忆卡,其中该转接器构件之连接部份由一剖面看来,系被形成以包围该盖部构件之第二部件。96.如申请专利范围第95项所述之记忆卡,其中该转接器构件之连接部份具有一第一部件,安排在该记忆卡的一表面上,以及,一第二部件,安排在该记忆卡的另一表面上,该另一表面系为该一表面的相反面,及其中该转接器构件的连接部份之第一及第二部件的长度系彼此不同。图式简单说明:第1图系本发明一实施形态之半导体装置及辅助器具之斜视图。第2图(a)系表示第1图之半导体装置之表面侧之外观之斜视图,(b)系该半导体装置之里面侧之外观之斜视图。第3图(a)系第1图之半导体装置之表面侧之平面图,(b)系(a)之半导体装置之侧面图,(c)系(a)之半导体装置之背面图,(d)系(a)之半导体装置之里面侧之平面图。第4图(a)系第1图之半导体装置之长度方向之辅助器具装设部之主要部分放大截面图,(b)系第1图之半导体装置之短方向之辅助器具装设部之主要部分放大截面图。第5图(a)系第3图(a)之A-A线之截面图,(b)系(a)之主要部分放大截面图。第6图系第1图之半导体装置之底座基板之平面图。第7图(a)系第1图之辅助器具之表面侧之平面图,(b)系(a)之辅助器具之侧面图,(c)系(a)之辅助器具之背面图,(d)系(a)之辅助器具之里面侧之平面图,(e)系(a)之辅助器具之爪部及支持部之主要部分放大截面图。第8图(a)系第1图之半导体装置及辅助器具之表面之平面图,(b)系(a)之侧面图,(c)系(a)之里面之平面图。第9图(a)系现有之全尺寸之半导体装置之表面之平面图,(b)系(a)之侧面图,(c)系(a)之里面之平面图。第10图(a)系第8图之状态之半导体装置之辅助器具安装部,与辅助器具之爪部之接合部之主要部分放大截面图,(b)系第8图之状态之半导体装置之辅助器具安装部,与辅助器具之凹部之接合部之主要部分放大截面图。第11图系成形第1图之半导体装置之一构件之金属模具之截面图。第12图(a)~(c)系第11图之主要部分放大截面图。第13图(a)系半导体装置之整体平面图,(b)系将(a)之半导体装置之基板装配在全尺寸之半导体装置使用时之整体平面图。第14图系本发明之其他实施形态之半导体装置及辅助器具之斜视图。第15图(a)、(b)系表示第14图之半导体装置之表面侧及里面侧之外观之斜视图。第16图(a)系第14图之半导体装置之表面侧之平面图,(b)系(a)之半导体装置之侧面图,(c)系(a)之半导体装置之背面图,(d)系(a)之半导体装置之里面侧之平面图。第17图(a)系第14图之半导体装置及辅助器具之表面之平面图,(b)系(a)之侧面图,(c)系(a)之里面之平面图。第18图系本发明之再一其他实施形态之半导体装置之里面侧之平面图。第19图系本发明人所检讨之半导体装置之底座基板之表面之平面图。第20图系第19图之底座基板之里面之平面图。第21图系本发明人所检讨之全尺寸之半导体装置用之外盖之表面之平面图。第22图系第21图之外盖之里面之平面图。第23图系将第19图及第20图所示之底座基板安装在第21图及第22图所示外盖之沟后之全尺寸之半导体装置之里面之平面图。第24图系构成本发明之一实施形态之半导体装置之底座基板之表面之平面图。第25图系第24图之底座基板之里面之平面图。第26图系搭载第24图及第25图所示底座基板之全尺寸之半导体装置用之外盖之表面之平面图。第27图系第26图之外盖之里面之平面图。第28图系将第24图及第25图所示之底座基板安装在第26图及第27图所示外盖后之全尺寸之半导体装置之里面之平面图。第29图系第26图之A1-A1线之截面图。第30图系第23图所示之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第31图系第23图所示之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第32图系第23图所示之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第33图系本发明一实施形态之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第34图系本发明一实施形态之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第35图系本发明一实施形态之半导体装置之弯曲强度试验之结果之说明图。第36图系本发明一实施形态之半导体装置之外盖之里面之平面图。第37图系本发明之一其他实施形态之半导体装置之主要部分放大截面图。第38图系成形第26图~第29图所示半导体装置之外盖之金属模具之一个例子之截面图。第39图系表示本发明一实施形态之半导体装置之晶片之配置例子之底座基板之表面之平面图。第40图系表示本发明一实施形态之半导体装置之晶片之配置例子之底座基板之表面之平面图。第41图系本发明一实施形态之半导体装置之装配制程之流程图。第42图系第41图之半导体装置之装配制程中之底座基板之表面之平面图。第43图系紧接在第42图之半导体装置之装配制程中之底座基板之表面之平面图。第44图系紧接在第43图之半导体装置之装配制程中之底座基板之表面之平面图。第45图系紧接在第44图之半导体装置之装配制程中之底座基板之表面之平面图。第46图系紧接在第45图之半导体装置之装配制程中之底座基板之表面之平面图。第47图系本发明其他实施形态之全尺寸之半导体装置之外盖之里面之平面图。第48图系第47图之领域Z1之放大平面图。第49图系本发明其他实施形态之全尺寸之半导体装置之里面之平面图。第50图系第49图之领域Z2之放大平面图。第51图系本发明其他实施形态之全尺寸之半导体装置之里面之平面图。第52图系本发明其他实施形态之半尺寸之半导体装置之表面之平面图。第53图系第52图之半导体装置之里面之平面图。第54图系本发明其他实施形态之半尺寸之半导体装置之里面之平面图。第55图系本发明再一其他实施形态之半尺寸之半导体装置之里面之平面图。第56图系本发明其他实施形态之全尺寸之半导体装置之截面图。第57图系第56图之主要放大截面图。 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