| 主权项 |
1.一种以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其系包括有一金属基板,该金属基板之表面生长有多数分布之奈米碳管,以供作为场发射源,该金属基板具有多数奈米碳管之表面依序设有一介电层、一闸极层及一支撑层,该介电层、闸极层分别具有一通孔,以供各该奈米碳管外露,而该支撑层相对该闸极层之一面设有一具导电层及磷光层之阳极板,其改良在于:该金属基板系为含有催化奈米碳管生长之催化剂成份的合金,且该金属基板之表面成形有多数凸起之细微颗粒,以供作为生长该奈米碳管之生长源,该阳极板系为透明之玻璃板,且该金属基板与该阳极板间之周围系以金属与玻璃热膨胀系相近之封装材料封装,以供该金属基板与该阳极板间形成一真空腔体。2.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该金属基板系为含有铁、钴、镍金属之催化剂合金。3.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该金属基板系为含有稀土金属系金属之催化剂合金。4.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该封装材料系为热膨胀系数为410-6/℃-910-6/℃之玻璃胶。5.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该金属基板表面可经电浆处理使表面产生多数凸起之细微颗粒。6.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该金属基板表面可经化学处理产生多数凸起之细微颗粒。7.依申请专利范围第6项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该化学处理包括化学蚀刻,俾以产生多数凸起之细微颗粒。8.依申请专利范围第7项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该化学蚀刻包括加入稀盐酸、稀醋酸。9.依申请专利范围第1项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该金属基板表面可经物理处理使表面产生多数凸起之细微颗粒。10.依申请专利范围第9项所述之以奈米碳管为场发射源之场发射显示器结构,其中,该物理处理包括喷砂、朱击。图式简单说明:第1图系本创作场发射显示器之结构示意图第2图系本创作金属基板表面成形有多数凸起之细微颗粒之示意图第3图系本创作金属基板表面之细微颗粒分别成长奈米碳管之示意图第4图系本创作闸极层设计为X方向走线及阳极板设计为Y方向电极走线之示意图第5图系本创作奈米碳管受闸极牵引而射出电子之示意图第6图系习用场发射显示器之结构示意图第7图系习用场发射显示器之场发射源受闸极牵引而射出电子之示意图 |
