| 主权项 |
1.一种晶圆切割之方法,其包含有:提供一支撑载具,且该支撑载具之一上表面依序包含有一黏着层与一扩张膜;提供一晶圆,并将该晶圆之一底表面贴附于该扩张膜上;进行一切割制程,将该晶圆切割成复数个晶粒;以及分离该扩张膜与该支撑载具。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该黏着层系为一热分离胶带。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中分离该扩张膜与该支撑载具系利用加热方式达成。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该扩张膜系为一具扩张性之胶带,且该胶带之熔点大于该热分离胶带之熔点。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该黏着层系为一紫外线胶。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中分离该扩张膜与该支撑载具系利用照射紫外线方式达成。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该扩张膜系为一具扩张性之胶带。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该切割制程包含有:于该晶圆之一上表面形成一光阻图案,用以定义该晶圆之切割道;进行一非等向蚀刻制程,去除未被该光阻图案覆盖之该晶圆。9.如申请专利范围第8项所述之方法,另包含于该切割制程完成后进行一去除该光阻图案之步骤。10.如申请专利范围第1项所述之方法,另包含于分离该扩张膜与该支撑载具后进行一扩片暨捡晶制程。11.一种晶圆切割之方法,其包含有:提供一晶圆,该晶圆系利用一支撑载具承载,且该支撑载具与该晶圆之间依序包含有一黏着层与一扩张膜;于该晶圆之一表面形成一光阻图案,以定义出该晶圆之切割道;进行一非等向蚀刻制程,去除未被该光阻图案覆盖之该晶圆,以形成复数个晶粒;以及分离该黏着层与该支撑载具。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该黏着层系为一热分离胶带。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中分离该扩张膜与该支撑载具系利用加热方式达成。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该扩张膜系为一具扩张性之胶带,且该胶带之熔点大于该热分离胶带之熔点。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该黏着层系为一紫外线胶。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中分离该扩张膜与该支撑载具系利用照射紫外线方式达成。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该扩张膜系为一具扩张性之胶带。18.如申请专利范围第11项所述之方法,另包含于该非等向性蚀刻制程完成后进行一去除该光阻图案之步骤。19.如申请专利范围第11项所述之方法,另包含于分离该扩张膜与该支撑载具后进行一扩片暨捡晶制程。图式简单说明:第1图为一习知利用切割机台进行切割制程之方法示意图。第2图为一习知利用蚀刻方式进行切割制程之方法示意图。第3图至第8图为本发明一较佳实施例进行切割制程之方法示意图。 |
