发明名称 积体谐振器及放大器系统
摘要 揭示一种用于离子加速器中之积体射频放大器(120)及共振器(100)。放大器(120)包括一输出端,其实质的直接耦合至共振线圈(L)。放大器输出端可电容性或电感性耦合。此外,提供一装置用以加速离子植入器中之离子。此装置包含一射频输出端(122)之放大器(120),具有实质直接耦合至放大器(120)之射频输出端(122)的线圈(L)之槽路电路(100),以及连接至线圈(L)用以加速离子之电极(108)。并提供方法(500),用以耦合射频放大器(120)与离子加速器中之共振器(100)。此方法包含连接(502)放大器(120)之射频输出端(122)至耦合器,以及将耦合器(504)定位于线圈(L)之附近,因此可实质直接耦合放大器(120)之射频输出端(122)至共振器线圈(L)。
申请公布号 TWI234419 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW090111799 申请日期 2001.05.17
申请人 艾克塞利斯科技公司 发明人 威廉.法兰克.迪弗吉里欧;寇洛许.沙达特麻德;恩斯特.菲德利克.薜尔
分类号 H05H5/00 主分类号 H05H5/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种用于离子加速器中之积体共振器及射频放大器系统,其包含:具有射频输出端(122)的放大器(120);槽路电路(100),其实质上直接电容性地耦合(150)至放大器(120)之射频输出端(122),并且其中该电容性耦合包含与线圈(202)分开(261)之导电性元件(260),其中导电性元件(260)系电连接(222)至放大器(220)之射频输出端,因此将放大器(220)之射频输出端与线圈(202)电容性地耦合;及连接至槽路电路(100)之加速电极(108)。2.如申请专利范围第1项之系统,其中该槽路电路(100)包括一线圈(L)以及一电容(Cs)。3.如申请专利范围第2项之系统,其中该槽路电路(100)之电容(Cs)为可变的。4.如申请专利范围第1项之系统,其中导电性元件包括一铝板(260)。5.如申请专利范围第1项之系统,其中该导电性元件(260)系可相对于线圈(202)操作而移动,因此调整在导电性元件(260)和线圈(202)之间的空间,以及电容性耦合之电容値。6.一种用于离子加速器之积体共振器和射频放大器系统,其包含:具有射频输出端(122)之放大器(120);一槽路电路(100),其实质地直接电感性地耦合(170)至放大器(120)之射频输出端(122);及连接至槽路电路(100)之一加速电极(108)。7.如申请专利范围第6项之系统,其中该电感性耦合包括电感器(390),其位于相对线圈(302)之位置,而接近线圈(302)的低压端,并且其中电感器(390)系电连接(322a,322b)至放大器(320)之射频输出端,因此,将放大器(320)之射频输出端电感性地耦合至线圈(302)。8.一种用以加速离子植入器中离子之装置,其包含:具有射频输出端(122)之放大器(120);槽路电路(100),其具有实质上直接电容性耦合至放大器(120)之射频输出端(122)的线圈(L);并且其中该电容性耦合包含与线圈(202)分开并可与之相对移动的导电性元件(260),并且其中该电感性元件(260)系电连接(222)至放大器(220)之射频输出端,因此将放大器(220)之射频输出端与线圈(202)电容性地耦合;以及连接至线圈(L)之电极(108),用以加速离子。9.如申请专利范围第8项之装置,其中该导电性元件(260)包含与线圈(202)相隔开之铝板(260),并且其中间隙(261)系可调整,以匹配放大器(120)之阻抗,并且该铝板(260)连接(222)至放大器(220)之射频输出端,因而将放大器(220)之射频输出端与线圈(202)电容性地耦合。10.一种用以在离子植入器中加速离子之装置,其包含:一放大器(120),其具有射频输出端(122);一槽路电路(100),其具有相关其中之线圈(L),该槽路电路(100)实质上直接电感性耦合至放大器(120)之射频输出端(122),以及其中该电感性耦合包含一电感器(390),其位于相对线圈(302)而接近线圈(302)的低压端,并且相对其可以同心圆方式移动,该电感器(390)系连接(322a,322b)至放大器(320)之射频输出端,因此,将放大器(320)之射频输出端电感性耦合至线圈(302)。11.如申请专利范围第8项之装置,其中该槽路电路(100)包括一可变电容器(370)。12.一种用以耦合射频放大器与离子加速器中之共振器的方法,其包含:提供具有射频输出端(122)之放大器(120);提供具有电极(108)之线圈(L)用以加速离子之一共振器(100),以及电感(Cs);连接(502)放大器(120)之射频输出端(122)至一可调整之耦合器;以及将可调整耦合器定位(504)于接近线圈(L)附近,因而耦合放大器(120)之射频输出端至共振器线圈(L)。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该耦合器包含一板(260),以及进一步包含将板(260)定位于接近(261)线圈(202)之高压端,因而将放大器(220)之射频输出端电容耦合至线圈(202)。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该耦合器包括电感器(390),以及进一步包含将电感器(390)定位于接近(373)线圈(302)之低压端,并与其成同心圆,因此电感耦合放大器(320)之射频输出端至线圈(302)。15.如申请专利范围第13项之方法,进一步包含改变(510)板之位置,因此可根据其间之功率转移,调整放大器之射频输出端至共振器线圈的耦合。16.如申请专利范围第14项之方法,其进一步包含改变(510)电感器(390)之位置,因此调整在电感器(390)和线圈(202)之间的位置关系,以根据其中的功率转移而调整放大器的射频输出端至共振器线圈的耦合。图式简单说明:图1a为方块图,说明具有线性加速器之高能离子植入器,其中,可使用本发明之积体RF放大器及共振器之系统及方法;图1b为方块图,说明习知技艺之线性加速器模组;图1c为方块图,说明一习知加速器模组;图1d为一方块图,说明一习知加速器模组;图2a为方块图,说明具有本发明之一特性之电容耦合之积体RF放大器及共振器系统;图2b为方块图,说明本发明之积体RF放大器与共振器系统;图2c为方块图,说明本发明另一特性之具有电感性耦合之积体RF放大器及共振器系统;图2d为方块图,说明本发明另一特性之具有电感性耦合之积体RF放大器及共振器系统;图3为平面剖面图,说明本发明积体RF放大器及共振器系统;图4为取自图3之线4-4之本发明积体RF放大器及共振器系统之侧面俯视图;图5为本发明一特性之积体RF放大器及共振器系统平面剖面图;图6a为一平面剖面图,说明本发明另一特性之RF放大器及共振器系统;图6b为平面剖面图,说明本发明另一特性之积体RF放大器及共振器系统;图6c为图6b之积体RF放大器及共振器系统之平面图;及图7为一流程图,说明一方法以耦合一RF放大器输出至一共振器或一槽路电路。
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