发明名称 覆盖环及电浆处理装置
摘要 一种覆盖环,其适用于电浆处理装置中,以固位晶圆并接绕环形阴极套筒,其中环形阴极套筒具有外侧环面。覆盖环包括环形本体、侧局部环形本体及上局部环形本体。环形本体具有内环表面、下环形表面、外环表面及上环形表面。下环形表面系与环形阴极套筒接触。侧局部环形本体具有内侧环表面,其与环形本体之外环表面之全部连接以及与环形阴极套筒之外侧环面之部分连接。上局部环形本体具有底环形表面,其与环形本体之上环形表面之全部连接。
申请公布号 TWI234416 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW093106428 申请日期 2004.03.11
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 张宏隆;郭世;林义雄;陈炳宏;颜聪富
分类号 H05H1/00 主分类号 H05H1/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种覆盖环,适用于电浆处理装置中,以固定一晶圆并接触一环形阴极套筒,该覆盖环包括:一环形本体,该环形本体具有一内环表面、一下环形表面、一外环表面及一上环形表面,其中该下环形表面系与该环形阴极套筒接触;一侧局部环形本体,该侧局部环形本体具有一内侧环表面,其中该内侧环表面系与该环形本体之该外环表面之全部连接以及该内侧环表面系与该环形阴极套筒之该外侧环面之部分连接;以及一上局部环形本体,该上局部环形本体具有一底环形表面,其中该底环形表面系与该上环形表面之全部连接。2.如申请专利范围第1项所述之覆盖环,其中该覆盖环之该上环形表面为一部分倾斜曲面,该部分倾斜曲面之斜度由该上环形表面之内侧至该上环形表面之外侧渐渐趋缓。3.如申请专利范围第2项所述之覆盖环,其中该底环形表面与该上环形表面之该部分倾斜曲面完全配合,并与该环形本体之该上环形表面全部连接。4.如申请专利范围第1项所述之覆盖环,其中该环形本体与该上局部环形本体为一体成型。5.如申请专利范围第1项所述之覆盖环,其中该环形本体与该侧局部环形本体为一体成型。6.如申请专利范围第1项所述之覆盖环,其中该覆盖环之材质包括石英。7.一种覆盖环,适用于电浆处理装置中,以固定一晶圆并接触一环形阴极套筒,该覆盖环包括:一环形本体,该环形本体具有一内环表面、一下环形表面、一外环表面及一上环形表面,其中该下环形表面系与该环形阴极套筒接触;以及一侧局部环形本体,该侧局部环形本体具有一内侧环表面,其中该内侧环表面系与该环形本体之该外环表面之全部连接以及该内侧环表面系与该环形阴极套筒之该外侧环面之部分连接。8.如申请专利范围第7项所述之覆盖环,其中该覆盖环之该上环形表面为一部分倾斜曲面,该部分倾斜曲面之斜度由该上环形表面之内侧至该上环形表面之外侧渐渐趋缓。9.如申请专利范围第7项所述之覆盖环,其中该环形本体与该侧局部环形本体为一体成型。10.如申请专利范围第7项所述之覆盖环,其中该覆盖环之材质包括石英。11.一种覆盖环,适用于电浆处理装置中,以固定一晶圆并接触一环形阴极套筒,该覆盖环包括:一环形本体,该环形本体具有一内环表面、一下环形表面、一外环表面及一上环形表面,其中该下环形表面系与该环形阴极套筒接触;以及一上局部环形本体,该上局部环形本体具有一底环形表面,其中该底环形表面系与该上环形表面之全部连接。12.如申请专利范围第11项所述之覆盖环,其中该上环形表面为一部分倾斜曲面,该部分倾斜曲面之斜度由该上环形表面之内侧至该上环形表面之外侧渐渐趋缓。13.如申请专利范围第12项所述之覆盖环,其中该底环形表面与该上环形表面之该部分倾斜曲面完全配合,并与该环形本体之该上环形表面全部连接。14.如申请专利范围第11项所述之覆盖环,其中该环形本体与该上局部环形本体为一体成型。15.如申请专利范围第11项所述之覆盖环,其中该覆盖环之材质包括石英。16.一种电浆处理装置包括:一反应室,该反应室具有气密性;一电浆产生器,该电浆产生器系配置于该反应室内;一载置台,该载置台系配设于该反应室内,该载置台系用以承载一晶圆,该载置台包括一环形阴极套筒;以及一覆盖环,固定一晶圆并接触一环形阴极套筒,该覆盖环包括:一环形本体,该环形本体具有一内环表面、一下环形表面、一外环表面及一上环形表面,其中该下环形表面系与该环形阴极套筒接触;以及一侧局部环形本体,该侧局部环形本体具有一内侧环表面,其中该内侧环表面系与该环形本体之该外环表面之全部连接以及该内侧环表面系与该环形阴极套筒之该外侧环面之部分连接。17.如申请专利范围第16项所述之电浆处理装置,其中该覆盖环之该上环形表面为一部分倾斜曲面,该部分倾斜曲面之斜度由该上环形表面之内侧至该上环形表面之外侧渐渐趋缓。18.如申请专利范围第17项所述之电浆处理装置,其中该覆盖环更包括一上局部环形本体,该上局部环形本体具有一底环形表面,其中该底环形表面与该上环形表面之该部分倾斜曲面完全配合,并与该环形本体之该上环形表面全部连接。19.如申请专利范围第18项所述之电浆处理装置,其中该环形本体与该上局部环形本体为一体成型。20.如申请专利范围第16项所述之电浆处理装置,其中该环形本体与该侧局部环形本体为一体成型。21.如申请专利范围第16项所述之电浆处理装置,其中该覆盖环之材质包括石英。22.一种电浆处理装置包括:一反应室,该反应室具有气密性;一电浆产生器,该电浆产生器系配置于该反应室内;一载置台,该载置台系配设于该反应室内,该载置台系用以承载一晶圆,该载置台包括一环形阴极套筒;以及一覆盖环,以固定一晶圆并接触一环形阴极套筒,该覆盖环包括:一环形本体,该环形本体具有一内环表面、一下环形表面、一外环表面及一上环形表面,其中该下环形表面系与该环形阴极套筒接触;以及一上局部环形本体,该上局部环形本体具有一底环形表面,且该底环形表面系与该上环形表面之全部连接。23.如申请专利范围第22项所述之电浆处理装置,其中该上环形表面为一部分倾斜曲面,该部分倾斜曲面之斜度由该上环形表面之内侧至该上环形表面之外侧渐渐趋缓。24.如申请专利范围第23项所述之电浆处理装置,其中该底环形表面与该上环形表面之该部分倾斜曲面完全配合,并与该环形本体之该上环形表面全部连接。25.如申请专利范围第22项所述之电浆处理装置,其中该环形本体与该上局部环形本体为一体成型。26.如申请专利范围第22项所述之电浆处理装置,其中该覆盖环之材质包括石英。图式简单说明:第1A图绘示为习知之一种电浆处理装置的剖面图。第1B图绘示为用于此电浆处理装置之一种覆盖环之立体结构的横剖面图。第2A图绘示为本发明第一实施例电浆处理装置的剖面图。第2B图绘示为本发明第一实施例覆盖环及载置台之立体结构的横剖面图。第3A图绘示为本发明第二实施例覆盖环的俯视图。第3B图绘示为本发明第二实施例覆盖环之I-I线的剖面图。第4A图绘示为本发明第三实施例覆盖环的俯视图。第4B图绘示为本发明第三实施例覆盖环之II-II线的剖面图。
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