| 主权项 |
1.一种半导体元件之电容器,其特征在于,是种半导体元件之电容器,其包含:一形成在半导体基板上,而由掺杂矽之材料所制成之下部电极;一形成在下部电极上之薄氮化矽层;一以氮化矽层之氧化,被形成在氮化矽层表面上之氮氧化矽层;一形成在氮氧化矽层上之介电层;以及一形成在介电层上之上部电极。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器,其中下部电极被形成从一平板构造、一圆柱构造、一凹入构造、和一插销构造构成之群中,所选择之一种构造。3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器,其中下部电极被形成在其表面上,具有半球型矽颗粒者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器,其中氮化矽层形成5到30之厚度。5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件之电容器,其中氮氧化矽层被形成为具有从氮化矽层表面算起,低于15之厚度者。6.如申请专利范围第1项所述之电容器,其中介电层以N/O或Ta2O5所制成。7.一种半导体元件之电容器形成方法,其特征在于,是种半导体元件之电容器之制造方法,其包含下列步骤:在一半导体基板上形成一以掺杂矽之材料所制成之下部电极;在下部电极上沈积一薄氮化矽层;在氮化矽层之表面上,以氮化矽层之氧化形成一氮氧化矽层;在氮氧化矽层上沈积一介电层;以及在介电层上形成一上部电极。8.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中下部电极被形成从一平板构造、一圆柱构造、一凹入构造、和一插销构造所构成之群中,所选择之一种构造。9.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中下部电极被形成在其表面上,具有半球型矽颗粒者。10.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中沈积一薄氮化矽层之步骤是以从一电浆NH3氮化程序、一热NH3氮化程序、以及一LPCVD程序所构成之群中,所选择之一种程序所执行。11.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中氮化矽层沈积5到30之厚度。12.如申请专利范围第7项所述之电容器形成方法,其中矽、氮化层之氧化作用是以从一电浆强化氧化作用、一低压氧化作用、常压氧化作用、和一在氧气环境中之自然空气冷却程序所构成之群中,所选择之一种程序所执行。13.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中矽氮化层之氧化作用被执行而形成为从氮化矽层表面算起厚度低于15之氮氧化矽层。14.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,其中介电层以N/O或Ta2O5所制成。15.如申请专利范围第7项所述之半导体元件之电容器形成方法,更进一步包含一种执行沈积介电层之后处理的步骤,其在形成上部电极前和沈积介电层之后,使用从O2、N2、和NO所构成之群中,所选择之任一种气体而被执行。16.如申请专利范围第7项所述之电容器形成方法,其中沈积氮化矽层、氧化氮化矽层、沈积介电层、以及执行介电层之后处理等步骤,以一种在原处(in-situ)或无延时(no time delay)之方式被完成。图式简单说明:第1A图到第1E图为说明根据本发明之实施例中之一种半导体元件之形成方法之截面图;第2A图和第2B图为说明根据本发明之电容器之电子特性之说明图。 |
