覆晶封装凸块的修补制程

摘要

本发明系一种覆晶封装(Flip Chip)中对于凸块(Bump)的修补制程，主要精神系在晶圆(IC)表面与基板(Substrate)表面之凸块制造制程后，以植球之方法针对其不良品之单一缺点施以一修补制程，缺点透过改善后之不良品可使其效能如同良品，因而降低报废率。

主权项

1.一种覆晶封装凸块的修补制程,该制程步骤至少包括:提供一基材;于该基材之上制造复数个凸块,其中该些复数个凸块中具有至少一个有缺点的该凸块;于该基材具凸块之表面上涂一层助焊剂;以一植球修补制程于该有缺点之凸块上施以一修补锡球;以及以一回焊步骤将该修补锡球形成良点而取代有缺点之该凸块。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该基材为IC。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该基材为载板。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该凸块缺点之型态为掉球或漏印。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该凸块缺点之型态为锡少或锡量不足。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该植球修补制程之使用时机为回焊之后。7.一种覆晶封装凸块的修补制程,该制程步骤至少包括:提供一基材;于该基材之上制造复数个凸块,其中该些复数凸块中具有至少一个有缺点的该凸块;以植球修补制程于该有缺点之凸块上施以修补锡球;以及以回焊步骤将该修补锡球形成良点。8.如申请专利范围第7项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该植球修补制程之使用时机为回焊之前。9.如申请专利范围第1项或第7项所述之覆晶封装凸块的修补制程,其中该植球修补制程其步骤至少包括:提供一植球机;提供一修补锡球;以及该植球机以真空吸力将修补锡球放置于缺点处。图式简单说明:第1A图系覆晶封装IC与载板接合前之示意图。第1B图系覆晶封装IC与载板接合之示意图。第2图系习知凸块缺点示意图。第3A图系回焊后凸块缺点示意图。第3B图系于回焊后以植球机将修补锡球于凸块缺点处与基板接触之示意图。第3C图系于回焊后修补锡球接着于助焊剂上之示意图。第3D图系于回焊后对缺点施以植球修补制程后之改善示意图。第4A图系回焊前凸块缺点示意图。第4B图系于回焊前以植球机将修补锡球于凸块缺点处与基板接触之示意图。第4C图系于回焊前修补锡球接着于助焊剂上之示意图。第4D图系于回焊前对缺点施以植球修补制程后之改善示意图。