| 主权项 |
1.一种蚀刻侧壁的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,该半导体基底具有一沟槽,且该半导体基底上形成有一填充物质层,该填充物质层至少部分填入该沟槽内;反转该半导体基底;及将反转之该半导体基底浸泡入一蚀刻剂以去除位于该沟槽之开口及侧壁上之该填充物质层。2.如申请专利范围第1项所述之蚀刻侧壁的方法,其中该蚀刻剂包括稀释之氢氟酸、过氧化氢、磷酸、及盐酸与硝酸之混合物其中之一。3.如申请专利范围第1项所述之蚀刻侧壁的方法,其中该填充物质层包括介电层、导电材料层、或金属层其中之一。4.如申请专利范围第3项所述之蚀刻侧壁的方法,其中该介电层包括矽酸四乙酯层、二氧化矽层、硼磷矽酸玻璃层、或高密度电浆氧化层其中之一。5.如申请专利范围第3项所述之蚀刻侧壁的方法,其中该导电层包括多晶矽层。6.如申请专利范围第3项所述之蚀刻侧壁的方法,其中该金属层为钨金属层、铝金属层、铜金属层、或钛金属层其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之蚀刻侧壁的方法,其中形成该填充物质层的方法为化学气相沉积或电浆辅助化学气相沉积。图式简单说明:第1A图系显示习知之浅沟槽隔离区制程。第1B图系显示第1A图所示之下一步骤。第1C图系显示于氮化层上形成一填充层,且填充层会填入沟槽。第2A图系显示一具有部分形成填充层之沟槽之基底的详细图式。第2B图系显示未进行额外程序以扩大沟槽开口时,填充层会形成空隙的情况。第3A图系显示本发明所述之一基底的形成方法。第3B图系显示本发明所述之蚀刻部分填充层的方法。第3C图系显示本发明所述之经过蚀刻部分填充层之基底。第4图系显示本发明所述之一执行本发明之蚀刻沟槽开口及侧壁之操作流程图。 |
