| 主权项 |
1.一种用于一电路系统切换模式(Mode)时的方法,该电路系统至少包含一第一记忆装置、一第二记忆装置、以及一微处理器,该方法包含有:使用该第二记忆装置储存一区段程式码;以及当该电路系统切换模式时,使用该微处理器执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码,以使该微处理器以及该第一记忆装置正确地切换模式。2.如申请专利范围第1项之方法,其另包含有:使用该第一记忆装置储存复数个区段程式码;以及将该复数个区段程式码中之该区段程式码由该第一记忆装置载入至该第二记忆装置。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该电路系统系操作于一运作模式及一睡眠(Sleep)模式,该方法另包含有:当该电路系统由该运作模式切换至该睡眠模式时,使用该微处理器将该第一记忆装置切换至该睡眠模式;以及当该电路系统由该运作模式切换至该睡眠模式时,该微处理器系执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码,以将该微处理器切换至该睡眠模式。4.如申请专利范围第3项之方法,其另包含有:当该电路系统由该运作模式切换至该睡眠模式时,使用该微处理器控制一参考时脉(Reference clock),将该第一记忆装置由该运作模式切换至该睡眠模式。5.如申请专利范围第3项之方法,其另包含有:当该电路系统由该睡眠模式切换至该运作模式时该微处理器系执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码,以将该微处理器切换至该运作模式;以及当该电路系统由该睡眠模式切换至该运作模式时,使用该微处理器将该第一记忆装置由该睡眠模式切换至该运作模式。6.如申请专利范围第5项之方法,其另包含有:当该电路系统由该睡眠模式切换至该运作模式时,使用该微处理器控制一参考时脉,将该第一记忆装置由该睡眠模式切换至该运作模式。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一记忆装置系为一动态随机存取记忆体(Dynamic random accessmemory, DRAM),该第二记忆装置系为一唯读记忆体(Read-only memory, ROM)、一可电子抹除可编码唯读记忆体(Electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)、一静态随机存取记忆体(Static random access memory, SRAM)、或一暂存装置。8.一种用于一电路系统由一运作模式切换至一睡眠(Sleep)模式之方法,该电路系统至少包含一第一记忆装置、一第二记忆装置、以及一微处理器,该方法包含有:(a)使用该第二记忆装置储存一区段程式码;(b)于进行步骤(a)后,使用该微处理器执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码,将该第一记忆装置由该运作模式切换至该睡眠模式;以及(c)于进行步骤(b)后,使用该微处理器执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码,将该微处理器切换至该睡眠模式。9.如申请专利范围第8项之方法,其另包含有:(d)于进行步骤(a)前,使用该第一记忆装置储存复数个区段程式码,其中该复数个区段程式码系包含该区段程式码;以及(e)于进行步骤(d)后且于步骤(a)中,将该区段程式码由该第一记忆装置载入至该第二记忆装置。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该第二记忆装置系为一静态随机存取记忆体(Static random accessmemory, SRAM)或一暂存装置。11.如申请专利范围第8项之方法,其另包含有:(f)于步骤(b)中,使用该微处理器控制一参考时脉(Reference clock),将该第一记忆装置由该运作模式切换至该睡眠模式。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一记忆装置系为一动态随机存取记忆体(Dynamic random accessmemory, DRAM)。13.一种用于一电路系统由一睡眠(Sleep)模式切换至一运作模式之方法,该电路系统至少包含一第一记忆装置、一第二记忆装置、以及一微处理器,该方法包含有:(a)使用该第二记忆装置储存一区段程式码;(b)于进行步骤(a)后,使用该微处理器执行储存于该第二记忆装置中之该区段程式码;以及(c)于进行步骤(b)复,使用该微处理器将该第一记忆装置由该睡眠模式切换至该运作模式。14.如申请专利范围第13项之方法,其另包含有:(d)于进行步骤(a)前,使用该第一记忆装置储存复数个区段程式码,其中该复数个区段程式码系包含该区段程式码;以及(e)于进行步骤(d)后,且于该电路系统进入该睡眠模式前,将该区段程式码由该第一记忆装置载入至该第二记忆装置。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二记忆装置系为一静态随机存取记忆体(Static random accessmemory, SRAM)或一暂存装置。16.如申请专利范围第13项之方法,其另包含有:(f)于步骤(c)中,使用该微处理器控制一参考时脉(Reference clock),将该第一记忆装置由该睡眠模式切换至该运作模式。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一记忆装置系为一动态随机存取记忆体(Dynamic random accessmemory, DRAM),该第二记忆装置系为一唯读记忆体(Read-only memory, ROM)、一可电子抹除可编码唯读记忆体(Electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)、一静态随机存取记忆体(SRAM)、或一暂存装置。图式简单说明:图一为习知一电路系统的功能方块图。图二为本发明一电路系统之一实施例的功能方块图。图三为本发明一方法实施例之流程图。图四为本发明另一方法实施例之流程图。图五为本发明之概略方法实施例之流程图。 |
