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1.一种沉积介电质薄膜之方法,其包括下列步骤: 提供一化学气相沉积(CVD)反应室; 于该反应室内提供一半导体晶圆,该晶圆在其一表 面上具有特征,其中间隔放置该特征以在该特征之 间形成至少一个间隙; 提供一含碳有机金属前驱物; 提供一含臭氧气体; 提供一含掺杂剂之气体;并 使该前驱物、该含臭氧气体及该含掺杂物气体反 应以沉积一低介电常数薄膜于该表面上, 因此该低介电常数薄膜实质上填充该至少一个间 隙。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该间隙之深宽 比大于约3。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该低介电常数 薄膜的介电常数小于约3。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该CVD反应室是 一单晶圆反应器。 5.如申请专利范围第1项之方法,其另包括在该反应 步骤之前,预混合该含碳有机金属前驱物、该含臭 氧气体及该含掺杂剂气体之步骤。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应步骤包 括热次大气压化学气相沉积。 7.如申请专利范围第1项之方法,其另包括回流该低 介电常数薄膜之步骤。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该回流步骤系 在低于约725℃之温度下进行约20分钟。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该含碳前驱物 系选自由TMCTS与OMCTS组成之群。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供一含 碳前驱物之步骤包含介于约100至约10,000mgm之TMCTS 流。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供一含 碳前驱物之步骤包含介于约100至约500mgm之TMCTS流 。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供一含 臭氧气体之步骤包含从约1,000至约10,000sccm之氧与 臭氧的混合物流。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中该臭氧为该 氧与臭氧之混合物的约5至20重量%。 14.如申请专利范围第12项之方法,其中该臭氧为该 氧与臭氧之混合物的约15重量%。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供一含 臭氧气体之步骤包含约5,000sccm之氧与臭氧的混合 物流。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该臭氧为该 氧与臭氧之混合物约5至20重量%。 17.如申请专利范围第15项之方法,其中该臭氧为该 氧与臭氧之混合物的约15重量%。 18.如申请专利范围第1项之方法,其中该提供一含 掺杂剂气体的步骤包含TEB流及TEPO流。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该TEB流系约 100至约500sccm且该TEPO流系约10至约100sccm。 20.如申请专利范围第1项之方法,其中该含掺杂剂 之气体包含一选自由磷、硼、锗、砷、氟及其组 合物组成之群的掺杂剂。 21.如申请专利范围第1项之方法,其中该含掺杂剂 之气体包含磷并另包含一选自由硼、锗、砷、氟 及其组合物组成之第二种掺杂剂。 22.如申请专利范围第1项之方法,其另包括在该提 供一晶圆之步骤后,预加热该反应器至一预定温度 的步骤。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该预定温度 系为约100-700℃。 24.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应该前 驱物之步骤另包括达到并保持一预定压力。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中该预定压力 系约50至约800托。 26.如申请专利范围第24项之方法,其中该预定压力 系约200至约700托。 27.一种沉积介电质薄膜之方法,其包括下列步骤: 提供一化学气相沉积(CVD)反应室; 于该反应室内提供一半导体晶圆,该晶圆在其一表 面上具有特征,其中间隔放置该特征以在该特征间 形成至少一个间隙; 预热该反应室至约500-600℃之预定温度; 提供一含碳有机金属前驱物,其系选自由TMCTS与 OMCTS组成之群; 提供一流量为约5,000sccm之含臭氧气体,其中该含臭 氧气体包含氧及臭氧,其中该臭氧的浓度为约15重 量%; 提供一含掺杂剂之气体,其包含流量为约100-500sccm 之TEB及流量为约10-100sccm之TEPO;并 使该前驱物、该含臭氧气体及该含掺杂物气体在 约200-700托之压力下反应以沉积一低介电常数薄膜 于该表面上, 因此该低介电常数薄膜实质上填充该至少一个间 隙。 28.如申请专利范围第27项之方法,其另包括在该反 应步骤之前,预混合该含碳有机金属前驱物、该含 臭氧气体及该含掺杂剂气体之步骤。 29.如申请专利范围第27项之方法,其中该间隙的深 宽比大于约3。 30.如申请专利范围第27项之方法,其中该低介电常 数薄膜的介电常数小于约3。 31.如申请专利范围第27项之方法,其另包括回流该 低介电常数薄膜之步骤。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中该回流步骤 系在低于约725℃之温度下进行约20分钟。 图式简单说明: 图1说明一具有空隙之先前技艺毯覆介电质材料。 图2说明一个根据本发明单晶圆CVD反应器,其可用 于实行沉积一前金属介电质层之制程。 图3说明一个流程图,其显示根据本发明用于沉积 一前金属介电质层之较佳具体实施例的步骤。 图4说明一根据本发明所形成具有良好间隙填充特 性之前金属介电质层。 |
